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Micro SD、SD Card
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米客方德SD NAND为何比 SPI NAND、eMMC 更具优势?
SDNAND技术凭借集成化设计和简化开发优势,在嵌入式存储领域成为工业控制、智能穿戴等场景的首选。相较于SPINAND,SDNAND具备更高速度(104MB/s)和免驱动开发特性;对比eMMC,其封装更小(6×8mm)、成本更低;相比传统TF卡,采用贴片焊接设计,可靠性更高。SDNAND在宽温运行(-40℃~85℃)、10万次擦写寿命等工业级特性上表现突出,同时满足智能穿戴的微型化和低功耗需求。其即插即用特性显著缩短开发周期,成为中小容量高可靠性存储的优选方案。原创 2025-08-19 14:37:15 · 844 阅读 · 0 评论 -
TF卡速度等级详解:V10/V30/V60/V90如何选?看完就懂!
TF卡速度等级是选购存储卡的关键指标,代表最低持续写入速度。V10(10MB/s)适合日常存储;V30(30MB/s)支持4K视频;V60(60MB/s)和V90(90MB/s)满足专业摄影和8K视频需求。选购应考虑设备兼容性、使用场景和预算,专业用户建议选择更高等级以获得更好性能和使用寿命。速度等级与总线接口(UHS-I/II)相关,直接影响视频录制能力和文件传输速度。原创 2025-07-04 11:17:48 · 7938 阅读 · 0 评论 -
SD卡A1与A2的性能差异及应用场景解析
对比分析了SD卡A1和A2两种性能等级的主要差异。从基础概念、性能对比、容量价格、兼容性等维度进行详细阐述,并通过实际测试数据验证了两者的读写性能差异。A2卡在随机读写性能(4000/2000 IOPS)上显著优于A1卡(1500/500 IOPS),更适合运行大型游戏和处理4K视频等高要求场景,但价格更高且需要设备支持A2标准。文章建议用户根据实际需求和设备兼容性选择,日常使用选A1,追求性能则选A2。原创 2025-06-27 11:26:26 · 2721 阅读 · 0 评论 -
贴片式TF卡(SD NAND)与插拔式TF卡:技术差异与应用场景全解析
贴片式TF卡与插拔式TF卡的选型对比 本文对比分析了贴片式TF卡和传统插拔式TF卡的关键特性差异。贴片式TF卡采用焊接固定,尺寸仅6×8mm,具有40℃~85℃宽温工作、1万次掉电测试等高可靠性特性,适合工业、车载等恶劣环境下的嵌入式系统。插拔式TF卡体积较大但支持用户更换,速度可达UHSII标准(312MB/s),更适合消费电子和需要扩展存储的场景。文章从物理结构、技术性能、应用场景和成本等方面提供了详细的选型建议,强调应根据设备可靠性要求、使用环境和维护需求选择合适的存储方案。原创 2025-06-17 14:25:28 · 1211 阅读 · 0 评论 -
TF 卡 U1 和 U3 有什么区别?一文解析关键差异
选购TF卡时,U1和U3主要区别在于性能等级:U1最低写入速度10MB/s,适用于普通拍照、文档存储等日常场景;U3最低写入30MB/s,适合4K视频录制等专业需求。U3卡读写速度更快(读取90MB/s+,写入30MB/s+),但价格更高。主流品牌如闪迪、三星等提供不同系列产品,需根据具体使用场景(普通数码设备或专业摄像)选择性价比方案。工业级应用可考虑宜鼎等专供严苛环境的品牌。原创 2025-05-27 14:54:10 · 1672 阅读 · 0 评论 -
TT卡选型指南:高效能品牌的深度解析
在测试过程中,通常会以 512KB 为单位生成一个总大小为 1GB 的测试文件,然后在该文件的地址范围内,以随机 4KB 为单位进行写入测试,直至完成对整个地址范围的测试,最后通过计算平均成绩得出测试结果。计算机的性能,比如 CPU 和内存的性能,会在测试过程中产生作用。在顺序读写性能方面,MKUS008G-IGT1、SDSDQAB-008G-MK-C 和铠侠 16GB 表现较为出色,它们的顺序读取速度均超过了 90MB/s,而闪迪 8GB 的顺序读取速度仅为 44.58MB/s,相对表现较差。原创 2025-05-06 14:59:49 · 560 阅读 · 0 评论 -
录音笔新选择:SD NAND解锁超长录音功能
• 提升录音时长:低功耗的SD NAND、TF存储卡能够支持更长时间的录音。录音笔与SD NAND(贴片式TF卡)、TF存储卡的搭配使用,能够显著提升录音笔的存储容量和数据管理能力,尤其适合长时间录音或高分辨率音频录制的场景。• 录音格式与文件大小限制:例如,索尼录音笔支持LPCM、MP3等格式,但每个文件的大小可能受到限制(如LPCM文件小于4GB,MP3文件小于1GB)。• 户外录音:如自然声音记录或户外采访,SD NAND、TF存储卡的耐用性和小尺寸的特性能够满足复杂环境下的录音需求。原创 2025-03-24 10:10:36 · 629 阅读 · 0 评论 -
TF卡速度评测:AS SSD Benchmark 揭示闪迪、米客方德、铠侠的真实性能
测试即使用专业工具对 SD 卡进行性能测试,以此来评估 SD 卡的读写速度、访问时间等关键性能指标,帮助用户了解其性能优劣,判断是否满足实际使用需求。以下是对闪迪、金士顿、米客方德、铠侠品牌的T卡速度评测。原创 2025-03-17 14:24:24 · 2296 阅读 · 0 评论 -
如何通过JEDEC测试确保存储芯片可靠性
每一枚合格的存储芯片都源自于晶圆(Wafer),它需经历一连串严格的测试流程,筛选出符合规格的Die,随后进行封装,最终成为我们日常使用的芯片。对于存储产品而言,这一过程在大规模生产前尤为关键,必须进行广泛的测试与验证工作,以保障芯片的性能和可靠性达到标准。原创 2024-11-18 16:53:40 · 1885 阅读 · 0 评论 -
SPI NAND、SD NAND和eMMC的区别
SPI NAND、SD NAND和eMMC是三种不同类型的嵌入式存储技术,它们各自具有独特的特点和应用场景。原创 2024-11-04 16:27:36 · 1044 阅读 · 0 评论 -
SD卡中block和sector的区别
由于Block包含多个Sector,当进行大量数据的读写操作时,使用Block作为单位可以减少寻址和处理的时间,从而提高整体的存储性能。当你的设备写入数据到SD卡时,它实际上是以Sector为单位进行的。寻址:Sector是最小的寻址单位,每个Sector都有唯一的地址,而Block则是由连续的Sectors组成,可以通过Block地址快速定位到多个连续的Sector。大小:Sector是最小的可寻址单位,通常为512字节,而Block则是由多个Sector组成的较大单位,大小可以是16KB、32KB等。原创 2024-10-21 15:58:10 · 1266 阅读 · 0 评论 -
存储卡图标全解析:SD与micro SD卡的识别
UHS II是SD卡的第二个UHS标准版本,相比于UHS I标准,UHS-II提供了更高的传输速度和更多的功能。:UHS 是SD卡的第一个UHS标准版本,支持更快的数据传输速度。SD卡有不少规范,常用包含存储空间和存储速度两种,厂商会把满足的规范的图标印在卡面上,所以通过卡上有的规格,就能很快判断出这张卡的容量、类型和最低速度,甚至适用场景。MicroSD卡的规范和SD卡相同。需要注意的是,要充分发挥UHS标准的速度优势,不仅需要使用支持相应标准的SD卡,还需要使用支持UHS标准的读卡器或设备。原创 2024-10-17 09:37:59 · 4969 阅读 · 0 评论 -
Flash基础知识:发展历程及工作原理
此时,存储单元的源极和漏极会积聚较强的负电荷,而控制栅极则会积累较强的正电荷。Flash存储器是EEPROM的一种形式,它通过电子方式擦除,但与EEPROM不同,Flash擦除操作以块为单位,而非单个字节。最初,ROM是不可编程的,一旦制造完成,其内容便不可更改,缺乏灵活性。随后,可编程的PROM(可编程ROM)问世,允许用户一次性写入数据,但若写入错误,便无法更改,只能更换芯片。Flash存储器相较于传统EEPROM,在擦除机制上进行了优化,提升了效率和经济性,已成为现代电子设备中广泛使用的存储技术。原创 2024-10-11 14:10:32 · 2357 阅读 · 0 评论 -
SD卡命令与响应机制概览
SD卡的完整操作流程如下:首先,主机(例如单片机)发送一个“指令”给SD卡。SD卡接收到指令后,会根据指令的具体内容来决定是否需要返回响应信息或数据。如果操作涉及到数据的读取或写入,主设备还需要发送一个终止命令来结束当前的数据传输。这意味着,主设备发送指令后,SD卡可能不会产生任何响应或数据交换,这完全取决于指令本身的性质。卡有多种命令和响应,它们的格式定义及含义在SD协议中有详细介绍,发送命令时主机只能通过。上表中,大部分的命令是初始化的时候用的,而表中的。,本章,此文仅介绍几个比较重要的命令,原创 2024-10-09 10:06:38 · 509 阅读 · 0 评论 -
技术规格详解:SD卡、MicroSD卡与SD NAND的技术参数对比
SD卡、MicroSD卡以及SD NAND作为市场上的主流存储介质,各自凭借独特的优势和特定的使用场景,满足了不同用户的需求。小编讲述了这三种存储芯片的性能、特点以及适用领域,为用户提供全面的对比分析。主要用于嵌入式系统、工业控制、汽车电子等领域,由于其尺寸小、耐用性强,适合空间受限的应用。作为贴片式存储解决方案,容量通常较小,从较小的1Gbit到较大的512Gbit不等。1.8V低电压版:1.70V-1.95V。11x15x1.0 mm,约重0.5g。3.3V版本:2.7V-3.6V。原创 2024-10-08 15:15:16 · 1969 阅读 · 0 评论
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