MOS管电源开关电路的软启动

最新推荐文章于 2025-07-07 16:59:48 发布
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这篇博客适合硬件初学者，详细介绍了从基础的51单片机到STM32的学习路径，讲解了PCB设计和芯片架构等关键概念，帮助读者快速掌握嵌入式硬件开发的基础知识。
MOS管软启动电路设计
让你爱上电路设计
01-23 2589
MOS管软启动电路设计
可控制又有软启动的开关电路（可根需选择.....）
qq_42379138的博客
05-23 2407
前些天在做测试项目的时候 要求： 1.做一个可控电源的通断并且在生产测试、生产老化和生产标定阶段电源通断可控的电路 2.同时防止浪涌电流的冲击保护后级电路的安全（就是保护模块） 经过一番思量最终设计的电路如下图所示： ...
硬件基础：带缓启动MOS管电源开关电路
domen_pan的博客
03-19 1万+
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。比如在电源电压是5V，负载是个大容量电容的时候，电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V，电容充电电流会非常大。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
实例讲解MOS管电源开关电路的软启动
U_YAO的博客
05-13 2万+
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。不过从作者的描述来看，只是电路参数有区别，能通过的电流、能承受的耐压等不一样，但是软启动的原理是一样的。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
软起动电源开关电路
热门推荐
ChenYX的博客
12-18 20万+
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。电阻R4是为了在 Control 为高阻时，将三极管Q2的基极固定在低电平，不让其浮空。 2、当电源 +5V_IN 刚上电时，要求控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻，即关闭三极管Q2，从而...
带软开启功能的MOS管电源开关电路
cto_he_yu的博客
12-04 9027
转自：电路啊        电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带软开启功能。既然带“软”开启功能，不妨把这个电路理解为一个“软”妹纸，让咱们深入去了解她吧！ 带软开启功能的MOS管电源开关电路 一、电路说明：        电源开关电...
MOS管-软启动-电路设计(Multisim仿真)
01-21
MOS管作为半导体器件的一种，在电子电路中的应用极为广泛，特别是在开关电源和驱动电路中，它以高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度等优点，成为实现电源软启动的理想选择。电源软启动是指在电源开启的瞬间，逐步...
详细分析MOS管缓启动电路及其原理详解
树卡花
02-11 1万+
在电信工业和微波电路设计领域，普遍使用MOS管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单，但只有吃透MOS管的相关开关特性后才能对这个电路有深入的理解。 本文首先从MOSFET的开通过程进行叙述： 尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解MOSFET开关过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。一般来说，电子工程师通常基于栅极电
带不带软启动有什么区别？来看这个MOS管电源开关电路
VBsemi的博客
03-27 1257
当一个电源电压为5V时，负载为一个大容量电容，电源会瞬间开启，让电压瞬间上升达到5V，此时电容充电电流会非常大。电容C1通过电阻R2充电，C1与G极相连端的电压由原本的5V缓慢下降为0V，Vgs电压逐渐增大；当输入信号为低电平或者高阻时，电源+5V上电，Q2基极被拉低到地，三极管关闭，随后MOS管Q1关闭。此时电源+5V刚上电，MOS管的G极和S极同等电势，也就是说Vgs=0，Q1关闭。当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，浪涌电流。当电源上电完成后，GS两端都为5V，Vgs保持为0。
电源设计经验之MOS管驱动电路篇.pdf
09-27
MOSFET 因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常 根据电源 IC 和 MOSFET 的参数选择合适的电路。下面一起探讨 MOSFET 用于开关电源的驱动电路
软启动电路图
06-27
文件下载后，直接打开就可以了，有电机气兴趣的朋友可以看一看。
MOS管——缓启动电路（实例讲解）
VBsemi的博客
12-04 6158
MOS管的栅极开启电压Vth，在正常工作的情况下，其栅源电压为Vw，这里的电压等于稳压管D3的嵌位电压，电容C1充电的时间常数t=(R1//R2//R3)C1，由于R3通常会比R1、R2大很多，所以t≈(R1//R2)C1。可以看到，栅-漏极外部并联了电容C2 ，这里的栅-漏极的总电容是C’gd=C2+ Cgd，相对于C2 来说，Cgd的容值几乎忽略不计，所以C’gd和C2几乎相等。VBsemi的MOS管由于开关速度快，通流能力强，非常适合在低压，大电流，中等功率等应用中，能有效提升电源转换效率。
软开关电路设计
最新发布
weixin_44862769的博客
07-07 1440
最近看到一个博主分享的电路设计，正好契合我的项目需求，研究后发现它在同类方案里对我而言适配性很高，整理一下分享给大家，下面详细聊聊电路原理和应用逻辑。
关于开关软起动（缓启动）电路学习笔记
RM小白的博客
08-26 2万+
软启动电路学习 二级标题 二级标题 三级标题 四级标题 五级标题 六级标题
电源缓启动（软起动）
shiwei0813的博客
03-27 4381
谈起电源的缓启动（软起动），我们都知道现在大多数电子系统都要支持热插拔功能。所谓热插拔，也就是在系统正常工作时，带电对系统的某个单元进行插拔操作，且不对系统产生任何影响。
分享一个PMOS的电路设计
VBsemi的博客
09-04 3734
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等于Vin，Q2的G、S两端的电压等于0，Q2关断，此时的VOUT输出关断。R2的选值要根据MCU的IO电压、最大输出电流和开关管Q1的类型来选择，MOS管的限流电阻通常可以在几十Ω级别，三极管的限流电阻要根据MCU的IO电压/最大输出电流来计算，一般在ｋΩ级别。可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的开启电压。
PMOS管缓启动电路分析1
domen_pan的博客
03-09 4347
上图是典型的PMOS缓启动电路，三极管的控制端可以接MCU，进行程控，通过调节R5,C2,R3,C1的大小调节开启和关闭的速度，下面是该电路的仿真，可以看到上升和下降时间基本相同。上图中的控制端口可以接MCU的一个引脚，实现上下电控制，通过更改R3和C1的大小控制开通的速度，仿真波形如下，开启时间完全可以通过软件进行仿真得到。也可以将按键放到和R3串联的位置，根据按键的特点和系统情况选择，上图中按键按下后电路关闭，可以通过设置R3,R5,C1的大小，调节开启和关闭的速度。下图是按键版本的启动电路，
开关电源软启动，什么是软启动？
nm19920223的博客
05-22 1万+
软启动电容上的电压变化率越小，输出电压VOUT的电压变化率也就越小，也就意味着由输出端浪涌电流 对输出电容充电速度越慢，不至于有很大的浪涌电流对输出电容充电，达到保护芯片或后级负载电路的目的。如图5.64所示，是该芯片的软启动时间计算公式，以及规格书中给出的软启动时间典型值。其二，配置合理的软启动时间，有利于输出电压“单调上升”，而不会出现抖动，这对上电时序有较高要求的数字器件尤其是FPGA器件更加重要，因为系统上电时输出电压的抖动可能会导致后端数字器件或FPGA器件发生闩锁效应(Latch-up)问题。
软启动电路原理与应用解析
hello
03-17 3223
软启动电路（Soft Start Circuit）是一种用于限制电子设备或电机启动时瞬时电流冲击的电路设计。它通过逐步增加电压或电流，使负载平滑启动，从而减少对电源系统和设备的应力，提高系统的可靠性和寿命。软启动电路通过平缓的电压/电流控制，显著提高了设备的稳定性和耐用性。其原理简单但应用广泛，从基本的电阻限流到复杂的半导体控制，都能根据需求灵活实现。软启动的核心思想是控制启动过程中电流或电压的上升速率，避免突然加载导致的浪涌电流（Inrush Current）。软启动电路原理与应用解析。
mos管做电源开关电路原理图
03-27
### MOS管电源开关电路设计方案 #### NMOS管作为电源开关的设计方案 NMOS管通常用于低边开关配置。在这种设计中，源极连接到地，漏极通过负载连接到正电源电压 \(V_{DD}\)，栅极则由控制信号驱动。 以下是基于NMOS...
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