贴片电阻、电容、二极管的命名方法(中日两国比较)

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贴片电阻、电容、二极管的命名方法

单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同，进而让它们表现出来的我也不一样，主要有容量，稳定性（受温度影响性，寿命......等)，也就是说这几个规格适应不同的应用场合(军工,工业.消费电子......)你可以根据这个来选择适合自己的。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一 NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

二 X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封装 DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

三 Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

封装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 +10℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -56%
介质损耗最大 4%

四 Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示

封装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -82%
介质损耗最大 5%

贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。

贴片电阻及其命名方法

特性

·体积小，重量轻；
·适应再流焊与波峰焊；
·电性能稳定，可靠性高；
·装配成本低，并与自动装贴设备匹配；
·机械强度高、高频特性优越。

产品代号		型号		电阻温度系数		阻值		电阻值误差		包装方法
RC	片状电阻器	代号	型号	代号	T.C.R	表示方式	阻值	代号	误差值	代号	包装方式
		02	0402	K	≤±100PPM/℃	E-24	前两位表示有效数字第三位表示零的个数	F	±1%	T	编带包装
		03	0603	L	≤±250PPM/℃			G	±2%
		05	0805	U	≤±400PPM/℃	E-96	前三位表示有效数字第四位表示零的个数	J	±5%	B	塑料盒散包装
		06	1206	M	≤±500PPM/℃			0	跨接电阻
示例	RC	05		K		103		J
备注	小数点用R表示例如: E-24: 1RO=1.0Ω 103=10KΩ E-96: 1003=100KΩ ；跨接电阻采用"000"表示

二极管命名

二极管命名（国家标准）

国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分：
           第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
           第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
           第三部分用字母表示二极管的类别。
           第四部分用数字表示序号。
           第五部分用字母表示二极管的规格号。

第一部分：主称

2：二极管；

第二部分：材料与极性

A：N型锗材料；B：P型锗材料；C：N型硅材料；D：P型硅材料；E：化合物材料；

第三部分：类别

P：小信号管（普通管）；W：电压调整管和电压基准管（稳压管）；L：整流堆；N：阻尼管；Z：整流管；U：光电管；K：开关管；B或C：变容管；V：混频检波管；JD：激光管；S：遂道管；CM：磁敏管；H：恒流管；Y：体效应管；EF：发光二极管；

第四部分：序号

用数字表示同一类别产品序号；

第五部分：规格号

用字母表示产品规格、档次

日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。

表2-17 日本半导体器件命名法

第一部分		第二部分		第三部分		第四部分	第五部分
用数字表示器件的电极数目		用字母表示半导体器件		用拉丁字母表示器件的结构和类型		用2～3位数字表示器件登记顺序号	用拉丁字母表示同一种型号器件的改进型
符号	意义	符号	意义	符号	意义
0	光电器件	S	半导体器件	A	高频PNP型三极管快速开关三极管
1	二极管			A	高频PNP型三极管快速开关三极管
2	三极管			B	低频大功率PNP管
3	有三个PN结的器件			C	高频及快速开关NPN三极管
				D	低频大功率NPN管
				F	P控制极可控硅
				G	N控制极可控硅
				H	N基极单结管
				J	P沟道场效应管
				K	N沟道场效应管
				M	双向可控硅