存储器容量的扩充

1、位扩展

    若给定的芯片的字数（地指数）符合要求，但位数较短，不满足设计要求的存储器字长，则需要进行位扩展，让多片给定芯片并行工作。三组信号线中，地址线和控制线公用而数据线单独分开连接。

例如：利用多片1M*4位的SRAM芯片设计一个存储容量位1M*8位的SRAM存储器。

解：设计的存储器字长为8位，存储器字数不变。所需芯片数为d=(1M*8)/(1M*4)=2片

 2、字扩展

  若给定的芯片存储容量较小（字数少），不满足设计要求的总存储容量，则需要进行字扩展，让多片给定芯片分时工作。三组信号线中给定芯片的地址总线和数据总线公用，读写控制信号线公用，由地址总线的高位译码产生片选信号，让各个芯片分时工作。
例如：利用256K*8位的SRAM芯片设计2048K*8位的存储器。

解：所需芯片数d=（2048K*8）/（256K*8）=8片

 3、字位扩展

若给定的芯片的字数和位数均不符合要求，则需要先进行位扩展，再进行字扩展。