存储器扩展的方法

文章介绍了存储器的三种扩展方式:字扩展、位扩展和字位扩展。字扩展在字数方向增加,位数不变;位扩展则是在位数方向扩展,字数不变;字位扩展是两者同时扩展。扩展时通常利用三总线结构与单片机对接,位扩展需确保多个芯片同时工作,同选中、同读写。

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  存储器的扩展方式有字扩展、位扩展、字位扩展。存储器芯片与单片机扩展连接具有共同的规律。即不论何种存储器芯片,其引脚都呈三总线结构,与单片机连接都是三总线对接。另外,电源线接电源线,地线接地线。

(1)字扩展:仅在字数方向扩展,而位数不变。即K前面不一样,b前面保持一样。

例:用16K×8b的SRAM组成以64K×8b的存储器,所需芯片数为:(64K×8b)/(16K×8b)=4(片)。

(2)位扩展:只在位数方向扩展(加大字长),而芯片的字数和存储器的字数是一致的。即b前面不一样,K前面保持一样。

例:用64K×1b的SRAM芯片组成64K×8b的存储器,所需芯片数为:(64K×8b)/(64K×1b)=8(片)。

位扩展的关键就是将两个存储芯片当成一个存储芯片来用,让两个存储芯片同时工作,同时被选中,同时做读操作,同时做写操作,要想保证同时,就是把两个芯片的片选,用相同的信号进行连接。

(3)字位扩展:字位扩展顾名思义就是芯片需要字和位同时进行扩展。在扩展时要先进行位扩展再进行字扩展。

 

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