【PLL】VCO:基础知识

LC VCO

振荡频率高

相噪好

Ring VCO

宽调谐范围

面积小

多相位

relaxation oscillator低频时钟生成

片上振荡器(a)LC振荡器(b)环形振荡器;以及(c)弛张振荡器。

LC VCO

其振荡频率由电感电容(LC)储能电路设置

理想的LC谐振器自身振荡,但是实际的LC谐振回路由于LC谐振回路中的能量损失而不能维持振荡。振荡的衰减时间取决于LC谐振回路的品质因数。

为了维持振荡,需要具有DC功耗的有源电路。

由有源电路加强的LC谐振器成为LC振荡器。如图(a)所示,有源电路产生一个有效的负电阻,以补偿LC谐振器中的能量损失

 环形振荡器

保持级联逻辑电路的亚稳定振荡

环形振荡器最初用于测量反相器的栅极延迟时间,以评估工艺工程师新开发的CMOS技术的性能,因为反相器的栅极延迟时间可以通过测量环形振荡器的振荡频率来估计。随着CMOS锁相环(PLL)的发展,环形压控振荡器在有线通信系统中得到了广泛的应用。

环形VCO具有宽调谐范围、紧凑的面积和多相生成功能,而LC VCO具有高最大频率和低相位噪声

驰豫VCO

在环形VCO出现之前用于低频时钟生成。 

 

1. 振荡条件

(a)正反馈条件(b)LC谐振电路的频率选择性增益提升

振荡器基本上是一个正反馈电路,在振荡频率下开环增益为1。

图(a)显示了启动条件的线性模型

从输入信号Vi到输出信号Vo的系统传递函数:

V_o(\omega) =\frac{G(j\omega)}{1+G(j\omega) \beta (j\omega)}V_i(\omega)

  • G(j\omega):前馈增益
  • \beta(j\omega):反馈增益

当振荡器在\omega = \omega _o振荡:

1+G(j \omega _o) \beta (j \omega _o) =0

振荡条件的奈奎斯特判据定义为:

\left\{\begin{matrix} |G(j \omega _o) \beta (j \omega _o)|=1 \\ \angle G(j \omega _o) \beta (j \omega _o)=180^{\circ} \end{matrix}\right.

开环增益必须具有180°的相位延迟,以便负反馈系统变为正反馈系统

开环增益的幅度在振荡频率处必须为1。

巴克豪森准则与奈奎斯特准则相同,只是对于正反馈模型考虑了360°的相位延迟。

图(b)显示了LC振荡器的简化功能模型。

  • 前馈增益有源电设置,
  • 反馈路径LC谐振电路形成。

LC储能电路以谐振频率ω0谐振,使得LC振荡器能够在ω0处具有最大开环增益。

因此,LC谐振回路被认为是频率选择性网络,因为它在谐振频率处起到带通滤波器的作用

作为频率选择性网络的LC谐振回路的质量由品质因数定义

2. 品质因数

理想的LC谐振器不消耗功率,在谐振频率ω0振荡:

\omega _o =\frac{1}{\sqrt{LC}}

(a)LC串联模型(b)LC并联模型

实际上,任何元件都有电阻,品质因数定义为:

Q=\omega \frac{E_{stored}}{P_{avg}}

  • E_{stored}:理想电抗储存的能力
  • P_{avg}:串联电阻引起的消耗功率

2.1 串联谐振

\left\{\begin{matrix} E_{stored}=\frac{1}{2}L I_{pk}^2 \\ P_{avg}=\frac{1}{2}I_{pk}^2R_s \end{matrix}\right.

I_{pk}:通过电阻 Rs的峰值电流

在谐振频率ωo的品质因数Q:

Q=\omega _o\frac{E_{stored}}{P_{avg}}= \omega _o \frac{\frac{1}{2}LI_{pk}^2}{\frac{1}{2}I_{pk}^2R_s}=\frac{\omega _o L}{R_s}=\frac{1}{\omega _o RC}

晶体振荡器的Q值超过5,000,

集成振荡器的典型Q值小于50。

2.2 并联谐振

对于大多数电路,常用并联LC谐振代替串联LC谐振,是因为并联模型更直接地计算LC振荡电路中的输出阻抗。在谐振频率ω0处,品质因数Q:

Q=\frac{R_p}{\omega _o L}-\omega _o R _p C

Rp是与LC储能电路并联的电阻。

example 无源阻抗变换

在谐振频率附近的某个频率处,可以将串联LC谐振变换为并联LC谐振,反之亦然。

阻抗变换

串联电感(电容)电阻 --> 并联电感(电容)电阻

L_s+R_s=\frac{L_p R_p s}{L_p s+R_p}

稳定状态下,s=j \omega

(L_s R_p+L_p R_s)j \omega + R_s R_p-L_sL_p \omega ^2 =L_p R_p j \omega

实部虚部各自为零:

\left\{\begin{matrix} L_sR_p+L_pR_s=L_pR_p \\ \\ R_sR_p-L_sL_p\omega ^2=0 \end{matrix}\right.

串联谐振 Q=\frac{\omega _o L}{R_s},因为Q远高于3,所以可以得到近似值:

\left\{\begin{matrix} L_p \approx L_s \\ \\ R_p \approx Q^2R_s \end{matrix}\right.

类似的电容可以得到:

 \left\{\begin{matrix} C_p \approx C_s \\ \\ R_p \approx Q^2R_s \end{matrix}\right.

 2.3 负载品质因数

在LC振荡器的设计中,LC储能电路连接到其他电路,

与其它电路连接的LC谐振回路的品质因数变得不同于LC谐振回路本身的原始品质因数

与其它网络相连的品质因数称为负载Q


一个并联LC谐振器,与一个源电阻Rsource和一个负载电阻Rload相连,负载Q:

Q_L=\omega _o C (R_p || R_{source} || R_{load})

R_{source}:源阻抗

R_{load}:负载阻抗

通常,负载Q是:

\frac{1}{Q_L}=\frac{1}{Q}+\frac{1}{Q_{ext}}

 Q_{ext}:是外部原件的品质因数

在许多情况下,很难计算负载Q

获得负载Q的另一种方法是观察频率响应,从LC网络的带通滤波器特性测量3 dB带宽,负载Q:

Q_L=\frac{\omega _o}{2\omega _{BW}} 

\omega _{BW}:是带通滤波器的3dB带宽 

当LC谐振器用于振荡器的设计时,负载Q对于振荡器的频率稳定性是重要的,可以确定相位噪声性能

3. 频率稳定性

振荡器的品质因数Q表示输出频率对相位扰动的稳定程度

LC振荡器的频率稳定性主要由LC谐振器的品质因数决定

(a)具有注入电流噪声的LC谐振电路
(B)H1和H2的频率稳定性比较

输出电压Vn在谐振频率ω0处因In而引起的变化由传递函数H(ω)获得。

H(\omega)=\frac{V_n}{I_n}=\frac{R_p}{1+jQ(\frac{\omega}{\omega_o}-\frac{\omega_o}{\omega})} 

Q是LC谐振器的加载品质因数

从Vn到In的相位变化是:

\theta _n=arg \frac{V_n}{I_n}=-tan^{-1}Q(\frac{\omega}{\omega _o}-\frac{\omega _o}{\omega})

在ωo处的相位变化:

\frac{d\theta _n}{d \omega} |_{\omega=\omega _o}=\frac{-2Q}{\omega_o}=\frac{S_F}{\omega_o}

S_F:频率稳定因子

对于给定相位变化\Delta \theta大的Q或S_F使振荡系统的频率变化小

  • 当在振荡系统中注入噪声时
  • 较小的频率变化表明频率稳定性高或品质因数高。

  • 在图(b)中,对于给定的Δθ传递函数H1(θ)比H2(θ)具有更小的频率扰动。
  • 具有高频率稳定因子的VCO遭受有限的可调谐性
  • 相位噪声和调谐范围之间具有基本的折衷

4. 电路噪声的影响

振荡器噪声模型
  • 振荡器中的晶体管产生到LC负载的电流噪声I_n
  • LC谐振腔中的相位变化量\Delta \theta_{n,LC}=arg \frac{V_n}{I_n}=-tan^{-1}Q(\frac{\omega}{\omega _o}-\frac{\omega _o}{\omega})

当振荡器内部产生额外的\Delta \theta_{n,LC},LC振荡器必须在内部引入-\Delta \theta_{n,LC}来维持LC360°相移,来维持振荡

所以振荡频率需要稍微偏离LC谐振频率ω0以维持振荡

振荡器需要的频偏

\Delta \omega_{n,osc}=\frac{\omega_o}{2Q}\Delta \theta_{n,LC}

对于给定的噪声调制频率ωm,振荡器的噪声相位偏差:

\Delta \theta_{n,osc}=\frac{\Delta \omega_{n,osc}}{\omega _m}=\frac{\omega_o}{2Q}\frac{\Delta \theta_{n,LC}}{\omega _m}

只有\omega_m在反馈系统带宽内才有效

\omega_m在带宽外,反馈增益可以忽略:\Delta \theta_{n,osc}=\Delta \theta_{n,LC}

闭环相位噪声和开环相位噪声的转折频率ωc:

\omega_c=\frac{\omega_o}{2Q}

内部噪声和品质因数的影响
  • \omega_m < \omega _c\Delta \theta_{n,osc}=\frac{\Delta \omega_{n,osc}}{\omega _m}=\frac{\omega_o}{2Q}\frac{\Delta \theta_{n,LC}}{\omega _m},相位噪声呈现1/\omega_m的斜率
    • 振荡器以-20dB/dBc斜率下降
  • 具有高Q LC谐振回路的振荡器具有\omega_c,从而实现低相位噪声

  • 在集成振荡器中,晶体管的闪烁噪声也会导致相位噪声
  • 与热噪声不同,闪烁噪声的噪声谱密度(即1/f噪声)的斜率为−10 dB/dec。
  • 集成振荡器的相位噪声在闪烁噪声的转折频率\omega_{1/f}以下的斜率为−30 dB/dec

 

在非常高Q值的振荡器,\omega_c可以比\omega_{1/f}更低

因此,相位噪声的斜率为−10 dB/dec

  • -30dB/dec:闪烁噪声(1/f噪声)+热噪声【-20dB/dec】

30dB/dec

\omega_m<\omega_c \\\omega_m<\omega_{1/f}

闪烁噪声(1/f噪声)【-10dB/dec】

热噪声【-20dB/dec】

20dB/dec\omega_{1/f}<\omega_m<\omega_{c}热噪声【-20dB/dec】
10dB/dec\omega_c<\omega_m<\omega_{1/f}闪烁噪声(1/f噪声)【-10dB/dec】

5. Leeson模型 & FoM

5.1 Lesson模型

上图所示的相位噪声特性是根据经验模型概括的,由Leeson在1966年用公式表示,称为Leeson方程:

L(\omega_m)=10 log[\frac{2*F*k*T}{P_{avg}}(\frac{\omega_o}{2Q\omega_m})^2]

  • F是经验拟合因子
  • k是玻尔兹曼常数
  • T是绝对温度

不包括闪烁噪声贡献

 L(\omega_m)=10 log[\frac{2*F*k*T}{P_{avg}}\{1+(\frac{\omega_o}{2Q\omega_m})^2 \}(1+\frac{\omega_{1/f}}{\omega_m})]

包括闪烁噪声贡献

对于给定的功率预算,具有高Q是改善相位噪声性能的最有效方式

5.2 FoM

任何振荡器都需要在功耗和相位噪声之间进行权衡。

为了用公平的比较来评估振荡器的性能,可以基于Leeson方程来定义品质因数(figure-of-
merit,FOM)

FoM=10log[\frac{kT}{P_{avg}}(\frac{f_o}{f_m})^2]-L(f_m)


VCO是响应于控制电压而产生可变频率的振荡器

因此,VCO设计需要考虑相位噪声与调谐范围之间的基本平衡,这与独立振荡器的设计不同。

FoM_T=10log[\frac{kT}{P_{avg}}(\frac{f_{o,max}-f_{o,min}}{f_m})^2]-L(f_m)

除品质因数外,VCO增益Kv也是相位噪声和调谐范围的关键参数

当设计一个多频带LC VCO时,由于可以在相同的调谐范围内使用低Kv,FoMT得到进一步改善。 

6. 噪声耦合的影响

  • 当噪声耦合到调制频率低于\omega_c,耦合噪声的行为类似于振荡器的内部噪声。
  • 噪声耦合也会在LC谐振电路产生相移【\Delta \theta _{pk,LC}】,从而在振荡器的输出端产生峰值相移【\Delta \theta_{pk}

假设噪声耦合是周期性调制,\Delta \theta_{pk}决定了在频率偏移\omega_m的杂散电平

如果杂散是由周期性噪声耦合产生的,并且调制频率低于\omega_c,则边带位于相位噪声的顶部,如图所示。

这意味着高Q振荡器或低增益VCO不仅提供低相位噪声,而且还提供低噪声耦合

由于噪声耦合的行为类似于内部电路噪声,一旦发生,无法通过外部电路进行抑制

因此,必须降低接地、电源和衬底的阻抗,以减轻数字电路的噪声耦合。

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