关于ADS晶体管封装参数等效以及电流源面连续类理论验证

0、前言

所有的连续类理论的阻抗解空间都是在晶体管电流源端面的阻抗解空间，要想在ADS里模拟出晶体管的电流源端面，需先得到对应晶体管的封装参数模型，再进行去封装操作。网上和许多论文里关于CGH40010F这个功放管已有一套现有的封装模型，下面介绍一下关于其他任意晶体管如何在ADS中获得其等效封装。

1、封装参数等效

方法：晶体管在C类的偏置下，通过理想元件模拟其输出端口的S参数。注意不同漏压对应的电流源端面最优阻抗Ropt不同，封装参数也会略有差异。

封装模型等效

通过优化使得图中端口2的S参数逼近端口4，所得结果即为对应晶体管的等效封装。

优化结果如下：

2、连续类理论验证

等效完封装参数后，如何知道自己等效的准不准确呢？根据连续类理论，晶体管电流源面的最优阻抗Ropt应为一个实阻抗，那么我在电流源面进行负载牵引时理论上等效率圆和等功率圆的圆心应当落于实轴或者接近实轴。下面在负载牵引模板里带上去封装模型后（封装模型Shift+Y镜像后给每个参数加上负号方为去封装模型），按照连续BJ类理论将二次谐波阻抗设定在短路点。

基本落于实轴，有点点误差但是问题不大。

另外在连续类理论中从-1到1变化时，基波与二次谐波在原图上走势相反。一个从上往下，一个从下往上

在负载牵引模板中将二次谐波阻抗设置为往下偏移短路点时，如下图

基波最优阻抗也随之上移，反之则往下移，至此电流源面等效完毕。

3、总结

单管的连续类设计直接优化大信号的效率功率就好，不一定需要在电流源面做匹配。但是设计连续类Doherty时，由于大信号的优化经常报错，建议先在电流源面做匹配得到一个比较不错的Doherty曲线，再在此基础上进行优化。另外在MMIC里GaAs器件的电流源面我一直等效有问题，GaN的倒是可以，也不知道是器件的原因还是啥原因。