二、ADS学习笔记:低噪声放大器设计
基于ADS2023 update2
参考书籍:卢益锋老师《ADS射频电路设计与仿真学习笔记》
更多笔记:
ADS学习笔记 1. 功率放大器设计
目录
【增大稳定性方法】1.输入回路中串联一个RC并联网络;2.源端并一个电感到地;3.增加负反馈,降低环路增益防止震荡,但会恶化噪声
0、设计指标
频率:433MHz
噪声系数:<0.5dB
增益:G>15dB
S11:<-15dB
晶体管:安华高的LNA芯片 ATF54143
封装类型:SOT-343
DataSheet:
1、下载安装模型库 & 研读DataSheet
ATF54143的ADS模型库:
不用新建工程,ADS模型库是zap文件,直接解压unarchive,解压完是个工作空间
2、直流扫描
直流扫描确定静态工作点,新建原理图01_DC_test
插入直流扫描模板,FET结型场效应管
调出ATF54143管子,点击ADS库文件,找到管子,空白处双击即可
连接好器件,源级接地,其余直接连。上面数据手册中器件的Vgs范围是0.4-0.8V,Vds是1-5V左右,所以设置范围和其差不多就行
仿真结果如下。DataSheet中也可以看出噪声系数NF和漏极电流Id有密切关系,当Id在20~40mA时,具有良好的噪声性能。结合仿真结果,最终选择静态工作点为VGS=0.5V,VDS=3V,此时的IDS=25mA

【问题1】为什么使用的模板和PA的直流扫描模板不同?
PA用的是直流扫描模板是FET_Curve_Tracer,这个用的是DC_FET,试了下两者没差别。FET_Curve_Tracer的结果只有一个,DC_FET的结果还包括直流功率
3、ADS偏置电路自动设计
新建原理图02_Bias_Circuit,插入Bias电路控件
调出管子,连接线路,电源V_DC是在Sources_Freq Domain里,设置为5V
双击DA_FETBias进行参数设置,每个参数在下方都有定义,根据DataSheet中的参数进行设置(Vt和K可以默认不设置)
DesignGuide中选择Amplifier,点击Transistor Bias Utility
点掉Automatically Extract,设置好后点击Design
有三种偏置电路设计,我们选择源极电阻为0的偏置电路,源极只需要加一个反馈电感就可以了,点击OK
生成后点击DA_FETBias_BiasCircuit控件,点击Pop into可以查看生成的参考电路