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原创 GDDR6总结(3) -- initialization & training
GDDR6内存初始化与训练流程详解:文章系统介绍了GDDR6显存的初始化配置和信号训练流程。1)初始化阶段包括严格的上电序列、阻抗校准和模式寄存器配置,需特别注意电压时序和复位信号控制;2)训练阶段遵循CA→WCK2CK→DQ的顺序,包含命令地址训练、时钟对齐训练和读写训练三类。其中CA训练通过特殊寄存器MR15实现,WCK2CK训练需考虑时钟相位对齐,而读写训练则采用LDFF/WRTR命令进行数据眼图优化。文章还详细说明了各训练模式下的命令序列、时序要求和异常处理方案,为GDDR6接口调试提供了完整的技术
2025-10-19 12:00:00
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原创 GDDR6总结(2)-mem接口(配置和数据)
摘要:GDDR6相比LPDDR5增加了CABI和EDC等专用接口,以应对超高数据速率(16-24Gbps)下的信号完整性挑战。CABI通过反转命令/地址总线信号减少同步开关噪声,EDC提供16位校验码检测数据传输错误。GDDR6要求更严格的阻抗控制(±3%),并支持伪通道模式,两个通道共享部分CA引脚。通过MRS命令可配置MR寄存器,实现颗粒初始化、训练及读写控制。
2025-10-18 12:00:00
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原创 GDDR6总结(1)-背景及优劣
GDDR6显存技术解析:采用双16位独立通道设计,工作频率12-16Gbps,支持16n预取架构,单颗带宽达24-32GB/s。相比前代GDDR5X,GDDR6通过伪通道模式和x8-Clamshell模式优化了内存管理,提升并行读写能力。其双通道特性类似HBM2,但采用共享时钟设计,支持QDR/DDR双模式运行。这些改进使GDDR6在保持高带宽优势的同时,显著提升了大型GPU的内存容量和访问效率。
2025-10-17 19:00:00
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原创 HBM与DDR的区别
HBM与DDR差异:(1) 上电初始化(Initialization)更高(需校准 TSV/Interposer 延迟)(1) 写入均衡(Write Leveling)(2) 读训练(Read Training)1024/2048 位(分伪通道)(2) 训练(Training)相对简单(PCB 走线补偿为主)源同步时钟(差分 DQS)通常由主机控制器软件驱动。64/72 位(单通道)需配置 3D 堆叠参数。
2025-05-01 09:06:04
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原创 LPDDR4x 的 学习总结(3) - SDRAM基本功能
介绍array周边的电路,对DDR的基本读写操作的相关功能模块的理解。即通过哪些模块可以实现对ddr的基本读写
2023-03-05 15:56:43
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原创 LPDDR4x 的 学习总结(2) - SDRAM array结构浅识
在进行一次读取操作的过程中,Access Transistor 导通后,由于 Bitline 和 Storage Capacitor 端的电压不一致,会导致 Storage Capacitor 中存储的电荷量被改变。它主要的功能就是将 Storage Capacitor 存储的信息转换为逻辑 1 或者 0 所对应的电压,并且呈现到 Bitline 上。Cell的电容上的电荷水平决定了该特定位是逻辑上的“1”还是“0”-电容中电荷的存在表示逻辑上的“1”,电荷的缺失表示逻辑上的“0”。
2023-03-05 15:06:35
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原创 LPDDR4x 的 学习总结(1) - 存储体的浅识
DDR的运行电压(工作电压)相比DDR的标准电压要低,从第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽,每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,拥有高达4266MT/s的频率,内存容量最大可达到128GB,运行电压正常可降至1.1V~1.2V。主要是价格和容量,决定了 DDR 在市场的应用定位。比LPDDR4的电压更低,把电压降低50%,电压从1.1V降低到0.61V。,频率更高、电压更低的同时卻也。
2023-03-05 15:02:27
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转载 ug472--xilinx 时钟资源学习总结(2):时钟布局资源
输入时钟路径规则:Clock-capable input > BUFG > global clock tree Clock-capable input > BUFH > horizontal clock line Clock-capable input > CMT > BUFG > global clock tree Clock-capable input > CMT
2017-12-08 23:54:24
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原创 ug472--xilinx 时钟资源学习总结(1)
1207 – clock resource 时钟架构:专用全局和局部IO 和时钟资源,时钟管理块clock management tiles(CMT):提供时钟频率分析,歪斜和抖动过滤功能。全局时钟树能为器件的交叉元素提供同步时钟。IO和局部时钟树,可以覆盖3个列邻近时钟区域。CMT含混合模式的时钟管理(mixed-mode clockmanager ,MMCM)和1个PL
2017-12-07 23:28:44
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原创 2017-12-06 Xilinx U471-IOB文档学习&总结(4)Advanced SelectIO Logic Resources
xilinx的高级IO逻辑资源是讲高速的IO的基础:1) 串并/并串转换2) IO端口专属FIFO:IO_FIFO用作IOLOGIC与外部器件连接的扩展部分(如:ISERDES/IDDR/OSERDES/ODDR),IO_FIFO也能作为额外的FIFO资源。串并转换(ISERDESE2):Dedicateddeserializer/serial-to-parallel co
2017-12-06 23:15:14
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转载 2017-12-05 Xilinx U471-IOB文档学习&总结(3):ILOGIC/OLOGIC Resources
ILOGIC: iddr的使用和input delayOLOGIC :oddr的使用和outputdelay详细使用可参考xilinx ug471,也可以查看此文章介绍:http://xilinx.eetrend.com/blog/1949
2017-12-06 00:29:29
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原创 2017-12-04 Xilinx U471-IOB文档学习&总结(2):io primitives
具体可参考xilix ug471的34-104io primitivesIBUF (input buffer)IBUFG (clock input buffer)IOBUF (bidirectional buffer)OBUF (output buffer)OBUFT (3-state output buffer)IBUFand IBUFG
2017-12-05 00:16:09
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原创 2017-12-03 Xilinx U471-IOB文档学习&总结(1):
分为3部分:1)O驱动& I接收器;2)寄存器&DDR&input/outputdelay 3)serdes IOBnak 可以分为HP(高性能high performance)和HR(high range宽电压范围)两种: IO引脚的供电电压:Vcco:主电压,IO标准的电压Vref:差分输入buf要求输入的参考电压,第二功能的参考电压Vccaux:全局辅助电压
2017-12-03 23:58:17
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转载 xilinx--IOB(2)
一般的IOB 都包含:存储单元 , I/Obuf ,输入延时线DELAY;存储单元:包括 输入寄存 输出寄存 三态输出控制线的寄存 输入 输出 三态控制线也可以不经过寄存 直接通过I/O buf输入输出IOB 中提供5中I/O Buf :输入buf IBUF ,输出buf OBUF ,三态输出buf OBUFT ,双向buf IOBUF,全局时钟输入buf IBUFG
2017-12-03 00:11:02
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原创 xilinx--IOB(1)
从下面的FPGA结构看,基本可以分成5大块,CLB/IOB/DCM/DSP/Block_RAMhttps://china.xilinx.com/support/documentation/white_papers/wp375_HPC_Using_FPGAs.pdf在xilinx可看到7系列的FPGA的多个模块的介绍,其中IOB(Input/OutputBlo
2017-12-02 00:25:53
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原创 xilinx 乘法器
乘法器DSPVirtexII 系列提供有专门的乘法器结构 18bitsx 18bits VirtexII 的乘法器资源分布图与Block RAM 的分布图一样 每个乘法器块紧靠着Block RAM 共用4个 开关矩阵。 有个大侠已经分析DSP应用很详细,可详见 http://blog.youkuaiyun.com/yuan1164345228/article/d
2017-11-30 23:55:01
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原创 xilinx -- 逻辑单元CLB、Slice、LUT
今晚开始重看下器件的东东-Xilinx 7系列---CLB/LUTXilinx器件的基本逻辑单元是slice。简单来说两个slice组成一个CLB。CLB的资源又可概括为LUT/FF/PI(互联)。其结构如下图1-1: 1)CLB(ConfigurableLogic Block)------含2个Slice 或1个Slice和1个slicem,2)每个Slice----
2017-11-30 00:26:49
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原创 uvm学习总结(1)--激励
常用的uvm验证结构 1) 激励(事物transaction)产生过程分析 要产生一个transaction,要分成四步,第一步就是实例化,第二步就是调用start_item,第三步就是执行randomize过程,第四步就是调用finish_item。由于是牵扯到sequencer和driver的通信,因此这里就有一个主动和被动
2017-11-28 23:23:16
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原创 FPGA基础-异步复位,同步释放
每日一句话总结:考虑时钟和复位的相位关系,以免造成亚问题。一般是异步复位,同步释放。网络上有很多很好的资源,我就不重复写了,看看别的大侠写的what,why,howhttp://bbs.elecfans.com/jishu_207232_1_1.htmlhttp://blog.youkuaiyun.com/lg2lh/article/details/8488224
2017-11-28 23:00:36
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原创 用python实现aes ECB/CBC/CTR/CCM 的可执行文件
aes ccm和gcm模式做个总结,但是时间比较紧,只写了ccm模式的函数,有需要的童孩拿去用,附件有个生成的exe if(len(a)>0): ccm_b0_flag_a = b"1" else: ccm_b0_flag_a = b"0" tes_a = arange(6)#b
2017-10-09 20:40:20
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### 企业管理以客户为中心的经营管理与创新:华为变革案例及管理体系构建
2025-05-05
一些关于【RISC-V向量扩展技术】的资料,基于RISC-V的向量指令集架构教程:向量扩展设计与应用详解
2025-05-05
### 文章总结:RISC-V 处理器追踪规范
2025-05-05
【RISC-V架构】RISC-V指令追踪控制接口规范解析:硬件调试与追踪系统设计
2025-05-05
【供应链管理】华为基于可持续发展报告的供应链管理变革:提升供应链韧性与可持续性
2025-05-05
【半导体技术】JEDEC标准JESD235A:高带宽内存(HBM)DRAM架构与操作规范详解
2025-05-01
【LPDDR4x控制器】DDR IP核心特性解析:内存控制器结构与功能详解及应用配置流程规范要求,准确
2025-04-25
【LPDDR4x接口技术】DRAM读写时序解析:命令与数据通道详解及初始化流程设计
2025-04-25
【半导体验证】LPDDR4x DDR IP验证架构设计:AXI与APB接口配置及测试用例开发
2025-04-25
【RISC-V调试技术】基于JTAG的RISC-V调试模块(DM)与传输模块(DTM)设计:寄存器配置及调试流程详解
2025-04-25
【LPDDR4x内存技术】基于PHY特性的DDR内存控制器设计:高性能SDRAM接口解决方案分析
2025-04-25
【LPDDR4x内存技术】LPDDR4x初始化与训练流程解析:关键信号与时序调整方法
2025-04-25
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