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摘要：GDDR6相比LPDDR5增加了CABI和EDC等专用接口，以应对超高数据速率（16-24Gbps）下的信号完整性挑战。CABI通过反转命令/地址总线信号减少同步开关噪声，EDC提供16位校验码检测数据传输错误。GDDR6要求更严格的阻抗控制（±3%），并支持伪通道模式，两个通道共享部分CA引脚。通过MRS命令可配置MR寄存器，实现颗粒初始化、训练及读写控制。

GDDR6显存技术解析：采用双16位独立通道设计，工作频率12-16Gbps，支持16n预取架构，单颗带宽达24-32GB/s。相比前代GDDR5X，GDDR6通过伪通道模式和x8-Clamshell模式优化了内存管理，提升并行读写能力。其双通道特性类似HBM2，但采用共享时钟设计，支持QDR/DDR双模式运行。这些改进使GDDR6在保持高带宽优势的同时，显著提升了大型GPU的内存容量和访问效率。

基于cell组合起来的DRAM组织结构

介绍array周边的电路,对DDR的基本读写操作的相关功能模块的理解。即通过哪些模块可以实现对ddr的基本读写

在进行一次读取操作的过程中，Access Transistor 导通后，由于 Bitline 和 Storage Capacitor 端的电压不一致，会导致 Storage Capacitor 中存储的电荷量被改变。它主要的功能就是将 Storage Capacitor 存储的信息转换为逻辑 1 或者 0 所对应的电压，并且呈现到 Bitline 上。Cell的电容上的电荷水平决定了该特定位是逻辑上的“1”还是“0”-电容中电荷的存在表示逻辑上的“1”，电荷的缺失表示逻辑上的“0”。

DDR的运行电压（工作电压）相比DDR的标准电压要低，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽，每个针脚都可以提供2Gbps（256MB/s）的带宽，拥有高达4266MT/s的频率，内存容量最大可达到128GB，运行电压正常可降至1.1V~1.2V。主要是价格和容量，决定了 DDR 在市场的应用定位。比LPDDR4的电压更低,把电压降低50%，电压从1.1V降低到0.61V。，频率更高、电压更低的同时卻也。