Li_989898的博客

  布线工作完成后，主体工作已经完成，chip finishing 阶段主要是做检查设计、提高良率和物理验证工作，主要内容如下：·DRC 和 LVS检查·进行连线扩展和加宽连线来减少关键区域·修复天线效应·使用填充单元填充 core 中空白区域·进行冗余通孔插入·填充金属以满足金属密度要求LAB6：Chip Finishing 芯片完成1. 加载和分析设计2. 减少关键面积相关文件的准备：orca_lib.mw/CEL：route_opt_final   ./scriptscb13

CMOS电路结构  当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管。其电路结构如下：  工作特点：TP和TN总是一管导通而另一管截止，流过TP和TN的静态电流极小（纳安数量级），因而CMOS反相器的静态功耗极小，这是CMOS电路最突出的优点之一。CMOS工作原理  由于两管栅极工作电压极性相反，故将两管栅极相连作为输入端，如图（a）所示，则两管正好互为负载，处于互补工作状态。  当输入低电平时，PMOS管导通，NMOS管截止，输出为高电平，如图（b）所示。  当输

  通常情况下，在同一个时钟驱动下的寄存器之间信号的传输都是单周期的。如下图所示  但是在有的电路设计中，要么是有意为之，要么是单周期无法close timing，它可能需要多个周期才能完成信号的传输。在PT中，这个命令是set_multicycle_path。具体情况如下：  1）对于同频率的多周期电路约束，不需要用-start和-end。先设置setup的周期数，假设setup周期数是X，那么如果要想check最worst的hold情况，就要把hold的周期数设为X-1。即set_mult

1.MOS管简介  MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor，即金属-氧化物-半导体，表示为：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。2.MOS管的结构  在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂