38、直接写入技术：原理、应用与挑战

直接写入技术：原理、应用与挑战

1. 气相沉积相关技术

1.1 激光化学气相沉积（LCVD）及其改进

LCVD在可控气氛腔室内的特性限制了其在较大预制结构上的沉积能力。不过，它可以与粉末的逐层沉积相结合，类似粘结剂喷射技术，这种结合方式被称为选择性区域激光沉积气相渗透（SALDVI）。在SALDVI中，气相形成的固体材料用于粘结粉末材料，其构建速率比仅使用LCVD沉积材料要高得多，但所得结构可能是多孔的且本质上是复合材料。
|技术名称|构建速率|结构特点|
| ---- | ---- | ---- |
|LCVD|较低|受腔室限制，沉积能力受限|
|SALDVI|较高|多孔，复合材料|

1.2 聚焦离子束化学气相沉积（FIB CVD）

聚焦离子束（FIB）是通过将镓金属源与钨针接触并加热产生的离子化镓原子束。FIB可作为纳米加工工具，但加工时会产生溅射和镓原子注入现象，不过适当控制这些效应在某些应用中也有益处。
FIB CVD类似于LCVD，可用于直接写入沉积。通过在化学气相沉积气态前驱体存在的情况下扫描FIB源，可以在基板上沉积固体材料。它已被用于制造金属和介电材料的组合，以创建三维结构和电路，还用于集成电路行业修复故障电路。

graph LR
    A[产生FIB] --> B[扫描基板（有前驱体）]
    B --> C[沉积固体材料]
    C --> D[制造三维结构和电路]
    C --> E[修复集成电路故障]

1.3 电子束化学气相