硬件电路SW烧写部分的布置习惯

最新推荐文章于 2025-03-10 10:09:46 发布
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分类专栏： 研发管理 NXP_FREESCALE STM32
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/kaoyanshiyong/article/details/103661410
本文详细介绍了PCB制板中电源部分的表示方法，强调了SW接口5针（VDD,SWCLK,SWDIO,RST,VSS）的正确连接方式，特别是VDD与VSS的区分，避免电源和地反接的错误，对于电路设计人员具有重要的指导意义。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

PCB制板时，电源部分底座用方块表示；

SW接口5针：VDD, SWCLK, SWDIO, RST, VSS

VSS接AGND不要与VDD接反了，Vdd通常要接两根，开发板和仿真器都要两根接同一个电源，所以也是用一根总线，绝对不能把电源和地反接，判断方法就看那个方块！

有方块的是电源侧！

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<think>好的，用户现在问的是关于论文中硬件电路部分的写作方法。首先，我需要回顾之前的对话历史。用户之前询问了如何使用EG3013、PHD45N03等元件设计无刷电调的原理，现在转向了论文写作的结构和内容。 用户的需求可能是在撰写学术论文时需要指导如何组织和描述硬件电路部分。他们可能对如何有效呈现设计细节、理论分析以及实验验证感到困惑。需要明确用户是学生还是研究人员，但根据问题，推测可能是学生撰写学位论文或学术文章。 接下来，我需要确定用户的具体需求。他们可能希望了解论文硬件电路部分的标准结构、写作要点、常见问题及解决方法。此外，可能还需要示例或模板作为参考。需要确保回答结构清晰，涵盖必要部分，并提供实用建议。 在分析用户可能未明说的深层需求时，可能存在对如何将技术细节转化为学术写作的挑战，比如如何平衡理论分析与实际设计，如何展示创新点，以及如何有效使用图表和公式。此外，用户可能担心写作的规范性，如引用、格式和避免抄袭。 需要将回答分成几个部分：结构要素、写作要点、注意事项、示例模板和常见问题。每个部分应详细但简洁，提供具体建议。例如，结构部分应包括总体架构、电路设计、理论分析、测试验证、优化改进等。写作要点强调逻辑性、专业性和规范性，使用图表和公式。注意事项提醒避免常见错误，如忽视设计依据或测试方法不明确。 还要考虑用户可能的后续问题，比如如何处理仿真与实测数据的对比，或者如何突出创新点。因此，在回答中应涵盖这些方面，提供全面的指导。 最后，确保语言口语化，避免技术术语堆砌，但保持专业性。使用分点说明，结构清晰，帮助用户快速找到所需信息。可能需要加入示例代码或公式格式，但按照用户要求使用中文和正确的LaTeX格式。</think>以下是撰写论文硬件电路部分的详细指南（约500字），包含技术要点和写作模板： --- ### **一、硬件电路写作结构** #### 1. **总体架构描述**（建议配系统框图） ```verilog // 示例描述模板： "本设计采用三级架构：STM32F4主控→EG3013驱动层→PHD45N03功率级， 通过霍尔传感器反馈构成闭环系统。系统供电采用24V→LM2596→5V转换..." ``` #### 2. **核心电路设计** - **驱动电路**： $$ R_g = \frac{V_{drv} - V_{th}}{I_{peak}} \quad (驱动电阻计算) $$ 需说明选择10Ω的依据（基于MOSFET的Qg=35nC和驱动芯片输出电流1A） - **自举电路设计**： ```mermaid graph LR VCC-->D[SS34]-->C[0.47μF] C-->VB(EG3013_VB) ``` 需推导电容容值： $$ C_{boot} = \frac{Q_g \times N}{\Delta V} = \frac{35nC \times 3}{0.3V} = 0.35μF $$ #### 3. **保护电路实现** - 过流保护：采用TSC2011电流传感器，响应时间<2μs - 热保护：在MOSFET散热片贴装NTC（B值3435K） --- ### **二、写作要点技巧** #### 1. **理论-实践结合** - 先给出公式再展示实物参数： > "根据功率损耗公式： $$ P_{loss} = I_{rms}^2 \times R_{ds(on)} + (E_{on} + E_{off}) \times f_{sw} $$ 实测PHD45N03在20kHz时总损耗为1.2W，满足散热设计需求" #### 2. **图表使用原则** - 电路图：保留关键参数（电阻值/器件型号） - 波形图：标注时基/电压刻度（如：CH1: 5V/div, 10μs/div） - 表格对比： | 方案 | 效率 | 成本 | EMI等级 | |---|---|---|---| | EG3013 | 92% | 中 | Class B | | IR2101 | 88% | 低 | Class C | #### 3. **可靠性验证** - 环境测试：高温(85℃)/低温(-40℃)下连续工作数据 - 极限测试：120%额定负载持续10分钟后的参数漂移 --- ### **三、常见问题处理** #### 1. **公式编号规范** ```latex \begin{equation} V_{ph} = \frac{V_{dc}}{2} \times D_{pwm} \label{eq:phase_voltage} \end{equation} ``` 在正文中引用：如公式\eqref{eq:phase_voltage}所示... #### 2. **仿真与实测差异分析** - 需说明寄生参数影响： > "仿真中未考虑PCB走线电感（实测约15nH），导致开关波形上升时间增加23%" #### 3. **创新点突出** - 对比传统方案： > "相较于典型IR2101方案，本设计通过优化自举电容布局，使高压侧供电稳定性提升40%" --- ### **四、论文示例片段** > "图3展示了三相驱动电路设计，其中Q1-Q6采用PHD45N03组成全桥结构。根据公式(2)计算得栅极电阻为： $$ R_g = \frac{t_r}{2.2 \times C_{iss}} = \frac{50ns}{2.2 \times 1800pF} ≈ 12.6Ω $$ 实际选用10Ω电阻以加快关断速度。实测波形（图4）显示上升时间为68ns，满足设计要求。" --- 是否需要提供具体的电路仿真与实测数据对比模板？
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