20、分子束外延法制备有序量子环

分子束外延法制备有序量子环

1. 高指数 GaAs 表面横向有序量子环阵列的制备

为了研究通过“自组织各向异性应变工程”技术对横向量子环有序排列的控制，在高指数表面上进行了量子环的制备。与在 GaAs (100) 表面观察到的一维量子环链相比，在高指数表面上已实现了周期性二维量子环阵列。

实验使用半绝缘 GaAs 衬底，通过分子束外延制备样品，生长条件与量子环链生长条件相同。研究中除了使用 GaAs (100) 表面，还使用了 GaAs (311)B 和 (511)B 高指数表面。

从原子力显微镜（AFM）图像可以看出，(100) 表面形成量子环链，而 (311)B 和 (511)B 高指数表面形成不同的图案。尽管量子环在相同条件下生长，但多量子点及过生长的量子环在不同表面上呈现出明显不同的表面形态，包括量子环的形状和横向排列模式。

表面	平均半径 (nm)	密度 (cm⁻²)
(100)	26.3±8.2	7.9×10⁹
(311)B	37.6±10.7	5.0×10⁹
(511)B	35.2±7.5	5.6×10⁹