程序员如何在复杂代码中查找到程序的bug?

1. 优先解决那些可重现的,可重现的bug特别好找,反复调试测试就好了,先把好解决的干掉,这样最节约时间。

2. 对于某些bug没有头绪或者现象古怪不知道从哪里下手,找有经验的同事问一下思路,因为在那种开发多年的大型系统里,经常会反复出现同样原因的bug,原因都类似,改了一处,过一阵子另外一处又冒出来,而且无法根治。
比如:我那个系统里有个特别危险的API,接口参数比较难用,一旦有人用错了某些情况下就会出诡异的现象,解决很简单,找到调用这个API的地方把调用方式写对就好了。为什么不根治呢?因为要保持兼容性不能改接口了。Windows系统里就好多这种烂API。
问下老员工吧,说不定他们都遇到过好多次了。

3. 放大现象,有些bug现象不太明显,那么就想办法增大它的破坏性,把现象放大。这只是个思路,具体怎么放大只能根据具体的代码来定。

4. 二分法定位,把程序逻辑一点点注释掉,看看还会不会出问题,类似二分查找的方法,逐步缩小问题范围。

5. 模拟现场,有时候我会问自己,如果我要实现bug描述的现象我要怎么写代码才行?
比如:我遇到一个死锁问题,但是检查代码发现所有的锁都是配对的,没有忘记解锁的地方,而且锁很简单就是一个普通的临界段,保护几行赋值语句而已。这样的代码怎么写才能让他死锁呢?
我想如果让我故意制造这样一个现象,只有在上锁的时候强制杀掉线程了。
既然这样就可以去看看有谁强杀线程了没有。

6. 制作工具,针对某些bug编写一些调试辅助工具。
比如,我那个系统没有完善的崩溃报告,虽然也有dump,但是分析出来的callstack经常不准。于是我为解决崩溃问题编写了个工具,会自动扫描代码,在每个函数入口和出口插入log,以此来定位崩溃点。

7. 掩盖问题,虽然这样做有点不厚道,但是有时不得不这么做。有些bug找不到真正的root cause,但是又要在规定时间内解决,那么我们就可以治疗症状而不去找病因。比如用try catch掩盖一些奇怪的崩溃。不到万不得已不要这么干,未来可能会付出更大代价。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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