具有降低带隙的 MoS₂ 非晶纳米颗粒的高折射率及其在光电子学中的应用
1. 引言
2004 年二维石墨烯的合成是二维材料合成领域的一个重大突破,在此之前,人们认为二维材料是不稳定的。自那以后,石墨烯在众多领域得到了广泛的应用,改变了电子行业的格局,使世界进入了数字竞赛时代。然而,石墨烯的零带隙特性在某些应用(如开关)中带来了巨大的问题。科学家们最初尝试增加石墨烯层的带隙,但改变带隙的同时也改变了其性质,问题并未得到解决。
随后,过渡金属二硫属化物(TMDs)进入了人们的视野。TMDs 具有与石墨烯相当的厚度和出色的半导体性能,其层间结合力较弱,可相互滑动,因此也广泛用于固体润滑。TMD 单层具有直接带隙,而多层 TMD(如双层或三层)的带隙是间接的,所以需要从块体中分离出单层。
MoS₂ 因其卓越的性能而被广泛研究。它具有类似于石墨烯的二维层状结构,有 2 - H 和 1 - T 两种结构形式,其中 2 - H 表现出半导体行为。MoS₂ 具有循环稳定性和高折射率,是光电子应用的有前途的候选材料。过去人们研究了多种合成 MoS₂ 纳米结构的方法,如化学气相沉积(CVD)、金属有机 CVD(MOCVD)等,但大多数方法昂贵且复杂,因此寻找一种廉价、简单且能获得高纯度产品的方法至关重要。本研究致力于通过经济、简便的水热法合成二维 MoS₂ 基薄层,并在前期用超声波处理前驱体溶液以提高反应速率和产率。形成的 MoS₂ 薄团聚片显示出增强的折射率,通常在 0.5 - 3.3 范围内,因此在光电子应用中具有重要价值。
2. 实验部分
2.1 化学试剂和材料
合成 MoS₂ 所用的化学试剂和材料如下表所示,所有化学试剂和试
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