onsemi与ic芯片管理的系列

最新推荐文章于 2025-12-04 20:43:34 发布

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#单片机

本文探讨了电源管理芯片中导通阻抗和驱动电压等关键参数，强调了全栅极驱动的静态特性。同时，解释了MOS晶体管的工作原理，特别是结温和热阻抗在设备性能中的重要性。对于MOS管，输入栅极电压控制输出端的泄漏电流，而封装的热阻抗则决定了半导体结的散热效率。

我们经常关注onsemi代理商的参数。对于电源管理芯片，其制造商选择参数来定义导通阻抗。对于开关应用，这也是设备的特点。数据手册中定义的驱动电压与流经开关的电流有关，但对于全栅极驱动，电源管理芯片是一个相对静态的参数。

已经开启的MOS管非常简单和热。
此外，结温的逐渐升高也会导致感温升高。面对不同的数据，手册规定了热阻抗参数，定义为封装在管中的半导体结的散热能力。on代理商的定义是连接到外壳的热阻抗。无论是n型还是p型mos晶体管，其工作原理基本相同。MOS晶体管通过施加在输入栅极上的电压来控制输出端的泄漏电流。