onsemi与ic芯片管理的系列

本文探讨了电源管理芯片中导通阻抗和驱动电压等关键参数,强调了全栅极驱动的静态特性。同时,解释了MOS晶体管的工作原理,特别是结温和热阻抗在设备性能中的重要性。对于MOS管,输入栅极电压控制输出端的泄漏电流,而封装的热阻抗则决定了半导体结的散热效率。

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我们经常关注onsemi代理商的参数。对于电源管理芯片,其制造商选择参数来定义导通阻抗。对于开关应用,这也是设备的特点。数据手册中定义的驱动电压与流经开关的电流有关,但对于全栅极驱动,电源管理芯片是一个相对静态的参数。


已经开启的MOS管非常简单和热。
此外,结温的逐渐升高也会导致感温升高。面对不同的数据,手册规定了热阻抗参数,定义为封装在管中的半导体结的散热能力。on代理商的定义是连接到外壳的热阻抗。无论是n型还是p型mos晶体管,其工作原理基本相同。MOS晶体管通过施加在输入栅极上的电压来控制输出端的泄漏电流。

 

 

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