Dynamic ODT

最新推荐文章于 2025-06-28 00:05:13 发布
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分类专栏： DDR3 文章标签： 动态ODT
本文介绍了DDR3 SDRAM中的动态ODT功能，该功能允许在不使用MRS命令的情况下改变数据总线的终端阻抗，以提升信号完整性。启用动态ODT需设置MR2寄存器的特定位，提供了RTT_Nom和RTT_WR两种阻值，并详细阐述了在不同操作中的阻抗控制规则和相关延迟参数。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

摘自《JEDEC78-3F》
在某种应用情况下，为了更好的提高数据总线的信号完整性，我们需要DDR3 SDRAM的终端阻抗可以不需要通过MRS命令来改变。这种需求由“动态ODT”特性来支持。

1.功能描述

动态ODT功能是由，MR2寄存器的A9与A10位设置成1来使能的。

  • 两种RTT值可用：RTT_Nom与RTT_WR
    • RTT_Nom的值是由MR1中的A[9,6,2]控制的
    • RTT_WR的值是由MR2中的A[10,9]控制的
  • 在非写操作的命令中，终端电阻是按照如下规则控制的
    • 选择普通终端阻抗RTT_Nom
    • 终端阻抗打开/关闭时序是由ODT引脚与延迟参数ODTLon和ODTLoff控制的
  • 若一个写命令被锁存，且此时的动态ODT也是使能状态下的，按照如下规则控制
    • 写操作后延迟ODTLcnw，终端阻值选择ODT_WR值
    • 写操作后根据写操作类型（BL8、BC4、OTF）选择是ODTLcwn8或者ODTLcwn4，终端阻值选择RTT_Nom
  • 终端阻抗打开/关闭时序是由ODT引脚与延迟参数ODTLon和ODTLoff控制的
    下面列表中显示了动态ODT模式中与odt控制有关的的延迟与时序参数。

在DLL-off模式下，不支持动态ODT特性。用户通过MRS命令来设置RTT_WR，MR2{A10,A9}={0,0}即可禁止动态ODT。

当ODT被置位时，必须保持时间ODTH4为高电平。当一个写命令被SDRAM锁存且ODT是高电平时，ODT必须在写操作后保持高电平至少ODTH4（BL=4）或者ODTH8（BL=8）。ODTH4与ODTH8的测量起点是写命令或ODT锁存到高电平，结束点是ODT锁存到低电平。

Name and DescriptionAbbr.Defined fromDefined toDefinition for all DDR3 speed binsUnit
ODT turn-on LatencyODTLonregistering external ODT signal highturning termination onODTLon = WL – 2tCK
ODT turn-off LatencyODTLoffregistering external ODT signal lowturning termination offODTLoff = WL – 2tCK
ODT Latency for changing from RTT_Nom to RTT_WRODTLcnwregistering external write commandchange RTT strength from RTT_Nom to RTT_WRODTLcnw = WL – 2tCK
ODT Latency for change from RTT_WR to RTT_Nom (BL = 4)ODTLcwn4registering external write commandchange RTT strength from RTT_WR to RTT_NomODTLcwn4 = 4 + ODTLofftCK
ODT Latency for change from RTT_WR to RTT_Nom (BL = 8)ODTLcwn8registering external write commandchange RTT strength from RTT_WR to RTT_NomODTLcwn8 = 6 + ODTLofftCK
minimum ODT high time after ODT assertionODTH4registering ODT highODT registered lowODTH4 = 4tCK
minimum ODT high time after Write(BL=4)ODTH4registering Write with ODT highODT registered lowODTH4 = 4tCK
minimum ODT high time after Write(BL=8)ODTH8registering Write with ODT highODT registered lowODTH8 = 6tCK
RTT change skewtADCODTLcnw ODTLcwnRTT ValidtADC(min)=0.3*tCK tADC(amx)=0.7*tCK(avg)tCK
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