自刷新模式与断电模式之间的区别-优快云博客

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本文详细介绍了DDR4内存的自刷新模式和断电模式。自刷新模式在系统其他部分断电时仍能保存数据，而断电模式下超过刷新周期数据会丢失。两种模式在数据保存、时钟输入、进入方法、IO Buffer状态及供电状态上存在差异，并且在功耗方面，断电模式有更低的功耗，但需关注数据保持问题。

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1 概述

1.1 自刷新模式（Self Refresh Mode）

DDR4 SDRAM中自刷新超市是用来保存存储阵列中的数据，即使在系统中其他的部分都已经断电的情况下，仍可以保持其功能。DRAM内部存在一个计数器来调整自刷新操作。在执行SRE命令之前，DRAM中的所有Bank都必须处于IDLE状态，即需要执行PRE ALL命令。SRE命令的定义是在时钟上升沿时，CS_n, RAS_n/A16, CAS_n/ A15以及CKE保持低电平，WE_n/A14与ACT_n保持高电平。
。既然有刷新，SDRAM中的数据是自然可以保持住的。SDRAM进入self refresh后，SDRAM controller也会disable输出到SDRAM的clock，从而整体的功耗都降低下来
此模式中包含一种自动自刷新的机制，DRAM内含一个温度传感器，根据此传感器的数据，可自动选择刷新命令的间隔与周期。

1.2 断电模式（Power Down Mode）

在CKE是低电平的情况下，发送一个NOP或者INHIBIT命令就可以让SDRAM进入power down mode。Power Down有两种mode，一种叫做PRECHARGE POWER-DOWN，另外一种叫做ACTIVE POWER-DOWN。如果在所有bank都是idle状态下（没有打开的行）进入Power down mode，那么这种mode就叫做PRECHARGE POWER-DOWN（该状态的功耗大约是300uA）。如果在有打开行（active row）的情况下进入Power down mode，那么这种mode就叫做ACTIVE POWER-DOWN（该状态的功耗大约是6mA）。想让SDRAM芯片退出power down mode的时候，要拉高CKE信号，发送一个NOP或者INHIBIT命令就可以让SDRAM退出power down mode。为了进一步降低功耗，可以把SDRAM controller的clock输出disable掉（这时候CKE是disable的，即便是SDRA