NorFlash等写操作时不一定需要手动执行擦除命令（观点错误，需要手打擦除命令）

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本文澄清了关于Flash存储设备（如NAND和NOR Flash）的误解，指出写操作并非将0变为1，而是将1变为0。解释了在实际应用中，即使某些设备不需要手动擦除，但在写入数据前仍需确保目标位置为全1状态，以避免数据冲突。强调了全1擦除的重要性，并阐述了如何通过页单位进行擦除操作。

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一直有个概念就是在操作常见的Flash：无论是nandflash/norflash，甚至e2prom等都需要先进行一定的擦除命令操作将0,1全部变为1，再进行写操作。

但实际现在ic发展，发现比如手里的一颗norflash不需要所谓的手动擦除操作，写入一个字节只需要发送一个写命令+地址+内容即可。与网上部分观点有出入，故记录下。


    本文观点出现严重错误。无论是NandFlash还是norflash, 写操作都是将1变为0，而不能将0变为1。故比如擦除后从0xFF->0xAA, 而如果再次直接写入了0x55.本质是将10101010的1变为0，而不会讲1变为0. 故最终存在NorFlash中的变为了0x00. 故需要在写入前还是要擦除的，再从0xFF变为0x55。一般以页的单位进行擦除。抱歉，误导大家了。

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