goal_achieving的博客

当PH值高于7.5时，二氧化硅颗粒就会获得足够的电荷而产生静电排斥作用，排斥作用将有效分散研磨浆中的二氧化硅颗粒。它会在金属连线的后续层中导致不完全的连线，因为它会增加金属层间接触窗孔的深度，进而导致不完整的金属层接触窗孔刻蚀，并在下一个双重金属层镶嵌连线之间形成断路。在不同的条件下，不同的金属氧化物被移除，而且每一种金属氧化物都有不同的溶解度，从而导致两种竞争移除过程。因为研磨浆粒子会形成很强的化学键，当研磨浆在晶圆表面凝固时，有些研磨浆粒子会与晶圆表面的原子发生化学反应。将缺陷减到最少并提高成品率；

钨可以形成局部连线，但对于长距离连线而言，高的电阻率将变得不能接受，因为高电阻会降低芯片的速度而增加损耗，这对于大多数CMOS逻辑芯片是不可接受的。由于铜对二氧化硅的附着性很差，在硅与二氧化硅中有高的扩散速率，铜污染物形成的深能级可以造成元器件性能恶化，而且因为缺乏单纯的挥发性化合物而难以采用干法刻蚀，所以阻碍了铜在20世纪90年代之前应用于集成电路芯片的金属化工艺。当少量百分比的铜与铝形成合金时，铝的电迁移抵抗力将显著增强，因为铜起了铝晶粒之间的粘着剂作用，并防止晶粒因电子轰击而迁移。

气体或气相源材料进入反应器，原材料扩散穿过边界层并接触衬底，表面源材料吸附在衬底表面，吸附的源材料在衬底表面上移动，源材料在衬底表面上开始化学反应，固体产物在衬底表面上形成晶核，晶核生长成岛状物，岛导状物结合成连续的薄膜，从衬底表面上放出的其他气体副产物，气体副产物扩散过边界层，气体副产物流出反应器。等离子体清洗过程中，氧的来源气体如N2O与O2（来自氟碳化合物）反应形成一氧化碳和二氧化碳，并释放出更多的氟自由基，增加F/C的比例，这样可以避免氟化碳的聚合作用以提高清洁的效率。硅烷流量增加，沉积速率增加；