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当PH值高于7.5时，二氧化硅颗粒就会获得足够的电荷而产生静电排斥作用，排斥作用将有效分散研磨浆中的二氧化硅颗粒。它会在金属连线的后续层中导致不完全的连线，因为它会增加金属层间接触窗孔的深度，进而导致不完整的金属层接触窗孔刻蚀，并在下一个双重金属层镶嵌连线之间形成断路。在不同的条件下，不同的金属氧化物被移除，而且每一种金属氧化物都有不同的溶解度，从而导致两种竞争移除过程。因为研磨浆粒子会形成很强的化学键，当研磨浆在晶圆表面凝固时，有些研磨浆粒子会与晶圆表面的原子发生化学反应。将缺陷减到最少并提高成品率；

例 一硅晶掺入每立方厘米10^{16}个砷原子，求室温下(300K)的载流子浓度与费米能级。需要用到的公式包括1.本征载流子浓度公式 2.从导带底算起的本征费米能级 2.从本征费米能级算起的费米能级。

钨可以形成局部连线，但对于长距离连线而言，高的电阻率将变得不能接受，因为高电阻会降低芯片的速度而增加损耗，这对于大多数CMOS逻辑芯片是不可接受的。由于铜对二氧化硅的附着性很差，在硅与二氧化硅中有高的扩散速率，铜污染物形成的深能级可以造成元器件性能恶化，而且因为缺乏单纯的挥发性化合物而难以采用干法刻蚀，所以阻碍了铜在20世纪90年代之前应用于集成电路芯片的金属化工艺。当少量百分比的铜与铝形成合金时，铝的电迁移抵抗力将显著增强，因为铜起了铝晶粒之间的粘着剂作用，并防止晶粒因电子轰击而迁移。

气体或气相源材料进入反应器，原材料扩散穿过边界层并接触衬底，表面源材料吸附在衬底表面，吸附的源材料在衬底表面上移动，源材料在衬底表面上开始化学反应，固体产物在衬底表面上形成晶核，晶核生长成岛状物，岛导状物结合成连续的薄膜，从衬底表面上放出的其他气体副产物，气体副产物扩散过边界层，气体副产物流出反应器。等离子体清洗过程中，氧的来源气体如N2O与O2（来自氟碳化合物）反应形成一氧化碳和二氧化碳，并释放出更多的氟自由基，增加F/C的比例，这样可以避免氟化碳的聚合作用以提高清洁的效率。硅烷流量增加，沉积速率增加；

化合物半导体的定义：由两种及以上元素以确定原子配比组成的化合物，多是一种晶态无机化合物半导体化合物半导体具有确定的禁带宽度和能带结构。半导体化合物典型的晶体结构为闪锌矿结构、纤锌矿结构化合物半导体有两种分类方式：1.按元素分类，本质上是由于原子序数的增大，共价键的键合能力会变弱，而。三五族、二四族、四四族2.按能带结构，可以分为直接带隙半导体和间接带隙半导体。对于直接带隙半导体来说，依旧按元素分类，我们可以得到各类的能带结构特性和性质变化的本质，那就是。元素差异越大，则离子键越多。

1.硅熔融为液体时密度会上升，体积缩小约10%2.硅1414摄氏度下融化3.硅晶的宽度较大，电阻率较大，所以可以承受高电压4.锗的载流子迁移率更高，所以可通大电流。

考试重点前七章。

硅、多晶硅和⾦属刻蚀使⽤阻绝刻蚀机制。四氟化碳是主要的刻蚀剂，三氟化氢碳是聚合物，可以改善PR和硅的刻蚀选择性，Ar⽤于增强离⼦轰击，氧⽓能增加刻蚀速率，⽽氢⽓可以⽤于改善对PR和硅刻蚀选择性。由于不能刻蚀掉薄的栅氧化层薄膜，况且刻蚀多晶硅的刻蚀剂也将刻蚀掉栅氧化层下的单晶硅⽽形成缺陷，所以多晶硅对⼆氧化硅的选择性⼀定要⾜够⾼。刻蚀技术包括：湿法刻蚀，⼲法刻蚀（等离⼦体刻蚀），反应离⼦刻蚀rie（也称为离⼦辅助刻蚀）⼲法刻蚀利⽤化学⽓体，通过物理刻蚀、化学刻蚀或两种刻蚀技术的组合⽅式刻蚀掉衬底表⾯的材料。

1.⾄少列举出3种最常⽤于集成电路芯⽚制造的掺杂物硼B，磷P，砷As，锑Sb2.从⼀个CMOS芯⽚横截⾯说明⾄少3种掺杂区p阱（轻掺杂），n阱（轻掺杂），n+重掺杂区，p+重掺杂区。阱区，源极/漏极3.了解离⼦注⼊技术与扩散技术相⽐的优点离⼦注⼊过程提供了⽐扩散过程更好的掺杂⼯艺控制，即可以控制结深（junction depth）离⼦注⼊过程可以在很⼴的掺杂物浓度范围内（1011）进⾏。离⼦注⼊过程不像扩散那样，需要在过程进⾏之前先⽣⻓⼀层厚的氧化膜作为扩散遮蔽层。

1.解释等离⼦体半导体⼯业中，等离⼦体被⼴泛定义为具有等量正电荷和负电荷的离⼦⽓体。简单表述下，等离⼦体就是具有等量带电性与中性粒⼦的⽓体2.列出等离⼦体的三种主要成分等离⼦体由离⼦、电⼦和中⼦性分⼦组成3.列出等离⼦体中的三种重要碰撞及其重要性等离⼦体中的三种主要的碰撞为离⼦化碰撞，激发-松弛、分解碰撞离⼦化碰撞是电⼦原⼦或分⼦碰撞时，部分能量传递到原⼦核或分⼦核束缚的轨道上，电⼦获得能量成为⾃由电⼦的过程激发的产⽣原因和离⼦化碰撞⼀样，但电⼦并没有逃脱束缚，⽽是跃迁到更⾼的轨道层。

一般掺杂的杂质类别，包括:提供载流子的施主杂质和受主杂质;产生复合中心的重金属杂质离子注入往往需要生成井well，其中井的定义：晶圆与杂质之间形成的扩散层或杂质与杂质之间形成的扩散层离子注入的目的：用掺杂改变电导率，一般用于较小制程下离子注入的优点：可控、低温离子注入的缺点：晶格损伤。

我们为什么要研究半导体？半导体凭什么可以成为电子信息行业的基础呢？

在此过程中，烘烤过度与不足分别。光刻胶后烘过度和不足，分别将产生什么问题？基本的光学光刻工艺流程为：晶圆清洗，预烘烤和hmds底漆层涂敷，光刻胶自旋涂敷coating，蒸汽底漆层涂敷：先进的光刻技术中，hmds将通过蒸发进入预处理反应时，然后在。因为光学光刻过程中的景深是必备条件，所以晶圆的表面需要高度平坦化，而只有cmp能达到要。光刻胶厚度和均匀性与自旋速度，自旋转速增加方式，光刻胶温度，晶圆温度，空气流速度和气。烘烤不足，会因过量的溶剂而造成模糊不清的图像，并在刻蚀或离子注入工艺中造成光刻胶剥离。

第二次退火是在较高温度下进行，并将电阻系数较高的c49碳化硅转变为电阻系数较低的c54碳。水平式高温炉加热、垂直式高温炉加热（即传统的管式炉加热）、快速加热工艺RTP、激光镭射。8. 集成电路芯片制造过程中，会使用垫底氧化层、阻挡氧化层、栅氧氧化层、屏蔽氧化层和全。氧化是最重要的加热过程之一，是一种添加工艺，将氧气加入到硅晶圆后，在晶圆表面形成二氧。为了满足元器件性能的要求，必须利用退火工艺将晶格的损伤修复，使其恢复单晶结构并激活掺。工艺氮气气流下将晶舟推入炉管，升高温度，稳定温度；

为什么cz法提拉的晶元比悬浮区熔法提拉的晶圆有较高。硅比锗有更大的能隙，有能力承受较高的工作温度和较大的掺杂范围。cz法：将一个安装在慢速转动夹具上的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，接着籽晶体的表。当系统达到热稳定时，籽晶晶体就被缓慢拉出，并同时把熔融的硅拉出来，使其沿籽晶晶。硅比锗有更大的能隙，有能力承受较高的工作温度和较大的掺杂范围。cz法：将一个安装在慢速转动夹具上的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，接着籽晶体的表。当系统达到热稳定时，籽晶晶体就被缓慢拉出，并同时把熔融的硅拉出来，使其沿籽晶晶。

MOS晶体管：当栅极加正确的偏压时，金属栅极靠近氧化物的一侧将产生正电荷或负电荷，吸。导电性介于导体和绝缘体之间的材料，如硅、锗、碳化硅。采用离子注入具有非等向性轮廓的优点以及多晶硅在高温的稳定性，可以形成自对准源极/漏极。Cmos的基本工艺流程包括：晶圆预处理、阱区形成、隔离、晶体管制造，连线和钝化。以n型半导体为例，电阻阻值和掺杂浓度（或施主杂质浓度）、电子迁移率成反比。Cmos的优点包括：耗电低、产生能量较低、抗干扰能力强、简单的时钟序列。5. 当掺杂浓度相同时，掺磷的硅和掺硼的硅哪一种电导率更高？

严格遵守无尘室协议规范很重要，可以降低空气中的微粒和污染物，否则会影响芯片的成品率和。标准的引线键合工艺采用极细的金属线连接芯片的键合垫片与引线尖端的键合垫片，芯片面朝上。标准的引线键合工艺采用极细的金属线连接芯片的键合垫片与引线尖端的键合垫片，芯片面朝上。陶瓷封装具有良好的热稳定性和较高的热传导以及较低的热膨胀系数，但是更为昂贵和笨重。陶瓷封装具有良好的热稳定性和较高的热传导以及较低的热膨胀系数，但是更为昂贵和笨重。整体成品率是指通过最后测试的良好芯片总数与生产的所有晶圆上的晶粒总数的比值。

4. 仙童半导体公司的第一个集成电路芯片和德州仪器公司推出的第一个芯片之间的主要区别是。在高解析度的光刻技术中，步进机需要配备哪些类型的。集成电路芯片是在同一块衬底上设计形成的功能电路，会包含。集成电路芯片是在同一块衬底上设计形成的功能电路，会包含。仙童的硅集成电路芯片使用了现代集成电路芯片的基本制造技术，更接近现代化的集成电路芯片。仙童半导体公司的第一个硅集成电路芯片，由一个2/5英寸（约十毫米）的硅晶圆制成。当铬膜玻璃上的图形只能覆盖晶圆的部分区域时，称为倍缩光刻板。哪一个更接近现代化的集成电路芯片？