51Nod - 1414 冰雕问题

本文介绍了一个关于冰雕吸引力最大化的编程问题,通过寻找特定数量的冰雕形成正多边形,使得它们的总吸引力达到最大值。使用了因子查找和等距选择的方法实现。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

白兰大学正在准备庆祝成立256周年。特别任命副校长来准备校园的装扮。

校园的中心竖立着n个冰雕。这些雕像被排在一个等分圆上,因此他们形成了一个正n多边形。这些冰雕被顺针地从1到n编号。每一个雕有一个吸引力t[i].

校长来看了之后表示不满意,他想再去掉几个雕像,但是剩下的雕像必须满足以下条件:

·        剩下的雕像必须形成一个正多边形(点数必须在3到n之间,inclusive),

·        剩下的雕像的吸引力之和要最大化。

请写一个程序帮助校长来计算出最大的吸引力之和。如果不能满足上述要求,所有雕像不能被移除。


Input
单组测试数据。
第一行输入一个整数n(3≤n≤20000),表示初始的冰雕数目。
第二行有n个整数t[1],t[2],t[3],…,t[n],表示每一个冰雕的吸引力(-1000≤t[i]≤1000),两个整数之间用空格分开。
Output
输出答案占一行。
Input示例
8
1 2 -3 4 -5 5 2 3
6
1 -2 3 -4 5 -6
Output示例
14
9
System Message  (题目提供者)
解释:首先看到这道题先想到的是求因子,但是怎么找到最大的吸引力,演草纸上画画,决定暴力解决
直接找到因子,例如n=6,因子是1,2,3,6,其实1,6不用考虑,正多边形相邻两边距离都是相等的,所以正三边形相邻两边距离为2,(设一开始每两边距离是1),n=8,那么正四边形每两边距离是2.    规律也就出来了2*3=6        2*4=8
代码:
 


#include<cstdio>
const int max=20000+5;
int n,i,sum,yinzi[max],a[max],ans;


int main()
{
      while(scanf("%d",&n)!=EOF)
      {
          ans=0;
          for(i=0;i<n;i++)
          {  scanf("%d",&a[i]);
              ans+=a[i];
          }
          //先计算现在的多边形的吸引力
          for(i=2;i<=n/3;i++)//求n的因子(除了1及其本身n)
          {


              if(n%i==0)
              {
                  for(int j=0;j<i;j++)//依次寻找新的多边形的吸引力
                    {   sum=0;
                        for(int k=j;k<n;k+=i)//等距,形成的正多边形相邻两边都等距
                        {
                            sum+=a[k%n];
                        }
                        if(ans<sum)
                            ans=sum;
                    }
            }
          }
          printf("%d\n",ans);
      }
      return 0;

}








资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
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