2、高速高数据带宽收发器与高性能双极技术电路探索

高速高数据带宽收发器与高性能双极技术电路探索

在当今数字化的时代，高速数据传输和高性能电路技术对于各种通信系统的发展至关重要。本文将深入探讨高速高数据带宽收发器以及高性能 Si 和 SiGe 双极技术与电路。

高速高数据带宽收发器实验结果

• 芯片制造与特性 ：开发的发射器和接收器芯片采用 0.25 -μm 三层金属 CMOS 工艺制造。MOS 晶体管的特性如下表所示：
  | 类型 | 栅氧化层厚度 | 栅极长度 | 阈值电压 | 饱和电流（|Vds|, |Vgs| = 2.5 V） |
  | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- |
  | nMOS | 6 nm | 0.25 μm | 0.2 V | 560 nA/μm |
  | pMOS | 6 nm | 0.25 nm | -0.2 V | -260 nA/μm |

芯片的裸片尺寸由 I/O 焊盘要求决定，为 4x6 mm。发射器核心面积为 1.1x1.2 mm，接收器核心面积为 1.3x1.3 mm。高速模块，如 10:1 复用器/解复用器、锁相环（PLL）和时钟数据恢复（CDR）电路，设计的扇出数小于 2，这是因为扇出为 2 的反相器电路在考虑线电容影响时，最大工作速度约为 2.5 GHz。通过使用 50 -Ω 片上终端，避免了高速信号输入波形的失真。
- 性能测试 ：将芯片直接安装在 PC 板上测量性能。PC 板上的高速信号线设计为 50 -Ω 阻抗的共面结构。使用 1 -m 带宽为 26 -GHz 的同轴电缆测量，在 5 Gb/s 数据传输时，对于