MOS管应用之外接电源和电池供电的的双电源自动切换电路

文章介绍了针对锂电池和外部电源供电切换的一种优化电路设计。在外部电源接入时,通过三极管和MOSFET的组合,避免了肖特基二极管的压降损失,减少了功耗,并防止了非正规充电。当没有外部电源时,电池能正常供电。此电路提高了效率,增强了通用性,尤其适用于电池电压可能高于外部电源的情况。

现在大部分电子产品都配有锂电池,在没有外接电源的时候,使用锂电池进行供电;当外接电源的时候,使用外部电源供电, 同时对锂电池充电.因此要求电路必须具备能够根据是否接有外部电源,而自动选择相应供电电源的能力. 常见的简单电源切换电路如图1所示,但这个电路应用条件是有限制和缺陷的,比如电池电压VBAT不能大于外部电压VIN,常 见的电池电压为3.7~4.2V,外部电压为USB的5V时没有问题,但是电池电压为7.2V就不能使用了;肖特基二极管的压降虽然已 经较小,但是依旧有零点几伏左右,损失的功耗较多,5V外部电压进来就只变成4V多了;外部电压供电时,会通过P型MOS 管的体二极管给电池进行非正规充电,当然这点可以通过将Q4 MOS管左右翻转一下解决.

 

为了解决上述这些缺陷,项目中有时会使用较为复杂的改进电路,如图 2 所示。

 

其工作原理简介如下: 当使用外部电源VIN时,三极管Q7导通,三极管Q6截止,P型MOSFETQ3由于栅极和源极通过电阻R4都接了电池电压VBAT, 两者相等,Q3截止,电池电压VBAT无法达到输出端VCC;外部电源VIN接通时,VIN首先通过Q1 MOSFET的寄生二极管到达 输出端VCC,同时Q
<think>好的,我需要帮助用户查找关于双电源供电切换电路的设计方案或原理,特别是双电源自动切换电路设计或原理图。首先,我应该回忆相关的电路设计知识,尤其是涉及双电源切换的部分。 用户提到的引用[1]指出电路设计需要选择合适的元器件并用导体连接,原理图是关键。而引用[2]提到PMOS管的体二极管在防止VUSB电压倒灌到电池中的作用。这提示我应该考虑使用MOS管(如PMOS或NMOS)来实现自动切换,因为它们的体二极管可以防止反向电流,同时导通时压降低,效率高。 接下来,我需要整理常见的双电源切换方案。通常有两种方法:二极管切换MOS切换。二极管方案简单,但压降大,功耗高;MOS管方案更高效,但需要控制电路。可能还需要比较PMOSNMOS的不同应用场景,例如PMOS通常用于高侧开关,而NMOS用于低侧,但需要更高的驱动电压。 此外,自动切换需要检测主电源状态,并在主电源失效时切换到备用电源。这可能涉及到比较器或电压检测IC,比如TL431或专用电源管理芯片。但用户可能更关注分立元件的解决方案,所以应重点放在MOS二极管组合的电路。 还需要考虑电路的保护功能,比如防止反向电流、过压保护等。PMOS的体二极管在这里起到关键作用,当主电源存在时,体二极管截止,防止备用电源反向供电。同时,MOS管的导通由主电源电压控制,当主电源电压足够时,MOS管导通,减少压降。 可能需要画一个简化的原理图,用文字描述。例如,主电源V1通过PMOS的源极连接,备用电源V2通过另一个PMOS的源极连接,栅极通过分压电阻控制,当V1存在时,对应的PMOS导通,反之则另一个导通。同时,体二极管的方向需要正确,以阻止反向电流。 另外,用户可能关心实际应用中的注意事项,比如MOS管的选型参数(如Vgs阈值、导通电阻)、响应时间、功耗计算等。还有可能提到一些常见问题,比如切换时的瞬态电压处理,是否需要加入电容滤波或稳压元件。 最后,根据用户提供的引用,特别是引用[2]中的PMOS应用案例,应该强调MOS管方案的优势,并可能推荐具体的电路结构,如基于PMOS双电源切换电路,并解释其工作原理。 总结一下,回答应分步骤介绍两种方案(二极管MOS管),详细说明MOS管方案的工作原理,给出原理图描述,并讨论设计中的关键点,如元件选型、保护功能等。同时,生成相关问题以帮助用户进一步探索。</think>### 双电源自动切换电路设计方案 双电源自动切换电路的核心目标是在主电源(如市电或USB供电)失效时,无缝切换到备用电源(如电池),确保设备持续运行。以下是两种常见实现方案: --- #### **方案1:二极管切换电路** - **原理** 通过二极管单向导通特性实现自动切换。主电源$V_{USB}$备用电源$V_{BAT}$分别连接二极管阳极,输出端连接阴极。当$V_{USB}$存在时,其对应二极管导通,输出$V_{OUT} = V_{USB} - V_F$($V_F$为二极管压降);当$V_{USB}$断开,备用电源二极管导通。 **缺点**:二极管压降导致效率低(尤其是大电流场景)[^1]。 - **简化原理图** ``` V_USB ---|>|--- V_OUT V_BAT ---|>|--- V_OUT ``` --- #### **方案2:MOS切换电路(推荐)** - **原理** 利用MOS管低导通电阻$R_{DS(on)}$降低损耗,并通过体二极管或外部控制逻辑实现自动切换。以PMOS为例(常用于高侧开关)[^2]: 1. **主电源优先**:当$V_{USB}$存在时,PMOS管$Q1$的栅极电压被拉低,$Q1$导通,输出$V_{OUT} \approx V_{USB}$;此时$Q2$因体二极管反偏而截止,阻止$V_{BAT$倒灌。 2. **备用电源切换**:当$V_{USB}$断开,$Q1$栅极电压升高至$V_{BAT}$,$Q1$关闭,$Q2$体二极管导通,随后通过分压电阻使$Q2$栅极电压降低,$Q2$完全导通。 - **关键设计参数** - MOS管选型:$V_{GS(th)}$需低于最小电源电压,$R_{DS(on)}$尽量小(如AO3401)。 - 分压电阻:确保$V_{GS}$在安全范围内(通常±20V)。 - 响应时间:可通过并联电容减缓电压波动。 - **简化原理图** ``` V_USB --|PMOS Q1|--- V_OUT ︱体二极管方向:S→D V_BAT --|PMOS Q2|--- V_OUT ︱体二极管方向:S→D Q1/Q2栅极通过电阻分压网络控制 ``` --- #### **设计注意事项** 1. **防倒灌**:体二极管或额外二极管防止电流反向(如引用[2]中PMOS的作用)。 2. **瞬态处理**:添加电容缓冲切换瞬间的电压跌落。 3. **功耗优化**:选择$R_{DS(on)}$小的MOS管,减少导通损耗。 4. **故障保护**:可加入保险丝或TVS管防止过压。 ---
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