15、CMOS 逆变器特性与参数分析

CMOS 逆变器特性与参数分析

1. 负载表面分析

负载表面分析可应用于 CMOS 逆变器。对于对称 CMOS 逆变器，n - MOS 和 p - MOS 晶体管的漏极电流有特定的计算公式。
- n - MOS 晶体管漏极电流 ：
[
I_{DN}=\begin{cases}
0; & V_{IN}\leq V_{TN} \text{ (cutoff)}\
K_{NO}(V_{IN}-V_{TN})^2/2; & V_{TN}\leq V_{IN}\leq V_{OUT}+V_{TN} \text{ (saturation)}\
K_{NO}[(V_{IN}-V_{TN})V_{OUT}-V_{OUT}^2/2]; & V_{OUT}+V_{TN}\leq V_{IN} \text{ (linear)}
\end{cases}
]
- p - MOS 晶体管漏极电流 ：
[
I_{DP}=\begin{cases}
K_{PO}[(V_{IN}-V_{DD}-V_{TP})(V_{OUT}-V_{DD})-(V_{OUT}-V_{DD})^2/2]; & V_{IN}\leq V_{OUT}+V_{TP} \text{ (linear)}\
K_{PO}(V_{IN}-V_{DD}-V_{TP})^2/2; & V_{OUT}+V_{TP}\leq V_{IN}\leq V_{DD}+V_{TP} \text{ (saturation)}\
0; & V_{D