嵌入式微处理器硬件设计全解析
1. 微处理器时钟相关知识
1.1 晶体振荡器基础
微处理器时钟的选择常常令人感到神秘。多数微控制器和许多微处理器都有内部振荡器,通常是一个高增益的反相放大器级。晶体与外部电容 C1 和 C2 相连构成振荡器,这种类型的晶体振荡器被称为皮尔斯振荡器(Pierce oscillator)。
在谐振时,晶体类似于一个带有一些串联电阻和并联电容的串联 LC 电路。皮尔斯振荡器通常会在晶体的基频上谐振,除非添加外部组件来强制其在不同频率下工作。
1.2 负载电容
电容 C1 和 C2 用于使振荡器启动,它们的值通常在 20pF 到 100pF 之间。并联谐振晶体有特定的负载电容要求,理想情况下,电路的负载电容应与晶体指定的负载电容相匹配。电路负载电容的计算公式为:
[C_{load}=\frac{C_1\times C_2}{C_1 + C_2}+C_s]
其中 (C_s) 是电路中的杂散电容,通常约为 5pF。例如,如果晶体指定的负载电容为 30pF,那么 C1 和 C2 大约各为 50pF。不过,C1 和 C2 的最佳值是频率稳定性和启动时间之间的折衷。如果 C1 和 C2 太大,振荡器可能无法启动;如果太小,理论上振荡器也无法启动,但杂散电路电容有时足以使其工作。
1.3 串联和并联晶体
微处理器晶体主要有串联和并联两种类型。串联晶体用于没有电抗组件(即没有 C1 或 C2)的电路,而并联晶体用于有这些组件的电路。对于嵌入式应用,并联晶体的谐振频率是在其安装在反相电路中时实现的,如特定图示所示;串联晶体则用于非反相放大器电路。虽然串联晶体可以
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