22、电子电路与设备维护全攻略

电子电路与设备维护全攻略

在电子领域，无论是晶体管的特性、电路的诊断，还是工具、设备和自身技能的维护，都有着诸多关键要点。了解这些知识，能帮助我们更好地应对电子工作中的各种挑战。

晶体管与运算放大器的工作特性

• NPN 晶体管 ：当基极 - 发射极电压（VBE）达到 0.6V 或更高时，NPN 晶体管会使电流从集电极（C）流向发射极（E），且该电压受集电极电流水平的影响较小。
• PNP 晶体管 ：当 VBE 小于 -0.6V 时，PNP 晶体管允许电流从发射极（E）流向集电极（C），这里的负号反映了从基极到发射极的测量方向，此电压同样受集电极电流水平影响不大。
• MOSFET 晶体管（增强模式） ：当栅极 - 源极电压（VGS）大于开启电压（通常约为 2V）时，MOSFET 晶体管会使电流从漏极（D）流向源极（S），并且漏极电流会随 VGS 变化。
• 运算放大器 ：作为放大器工作时，运算放大器的两个输入端子电压基本相同。若两个端子间的电压差超过几毫伏，其输出电压将被驱动至电源电压之一。

晶体管常作为开关使用，有截止和饱和两种状态：
| 晶体管类型 | 截止状态 | 饱和状态 |
| ---- | ---- | ---- |
| NPN/PNP | VBE 接近 0，不导通集电极电流 | VCE 小于 0.5V，导通电路允许的最大电流 |
| MOSFET | VGS 小于开启电压 | VDS 小于 0