22、电子设备与技能维护全攻略

电子设备与技能维护全攻略

在电子领域中，无论是晶体管的特性、电路的诊断，还是工具、设备以及自身技能的维护，都有着诸多需要关注的要点。下面将为大家详细介绍相关内容。

晶体管与运算放大器特性

• NPN 晶体管 ：当基极 - 发射极电压（VBE）达到 0.6V 或更高时，NPN 晶体管会使电流从集电极（C）流向发射极（E），并且该电压受集电极电流水平的影响较小。
• PNP 晶体管 ：当 VBE 小于 - 0.6V 时，PNP 晶体管会使电流从发射极（E）流向集电极（C），这里的负号表示测量方向是从基极到发射极，此电压同样受集电极电流水平影响不大。
• MOSFET 晶体管（增强模式） ：当栅极 - 源极电压（VGS）大于开启电压（通常约为 2V）时，MOSFET 晶体管会使电流从漏极（D）流向源极（S），且漏极电流会随 VGS 变化。
• 运算放大器 ：当运算放大器作为放大器工作时，其两个输入端的电压基本相同。若两个输入端之间的电压差超过几毫伏，运算放大器的输出电压将被驱动至电源电压之一。

晶体管常作为开关使用，工作状态主要有两种：
| 工作状态 | 晶体管类型 | 条件 | 表现 |
| ---- | ---- | ---- | ---- |
| 截止 | NPN、PNP | VBE 接近 0 | 不导通集电极电流 |
| 饱和 | NPN、PNP | VCE 小于 0.5V | 导通电路允许的最大电流 |