高效能量收集的 VLSI 设计挑战
1. 基于射频的环境能源
能量可以从丰富的各种能源中收集,如热能、太阳能、风能、电磁能和振动能。由于电磁能因其众多应用而始终存在于我们周围,我们可以充分利用它进行能量收集。借助天线和整流器,交流电可以很容易地转换为直流电。然而,天线尺寸、射频功率随距离的损耗(自由空间功率损耗)、射频源与接收天线之间的距离、频率、天线增益以及整流器的功耗是主要挑战。
射频波的功率密度主要随距离变化,因此大致分为远场和近场范围。在远场中,功率密度较弱且均匀,这个距离被称为夫琅禾费距离,其定义为:
[d_f = \frac{2D^2}{\lambda}]
其中,(d_f) 是夫琅禾费距离,(D) 是天线直径,(\lambda) 是波长。
从辐射源到距离为 (\sqrt[3]{\frac{D}{2\lambda}}) 的区域是电抗区,因此电场和磁场矢量不同相,这是能量失真的一个重要原因。在远处区域,即远场区域,电场和磁场矢量仍然会变化,但这个区域是辐射区,称为菲涅尔区。该区域的功率公式为:
[P_R = \frac{P_TG_TG_R\lambda^2}{(4\pi R^2)}]
接收天线增益可以计算为:
[P_R = \frac{P_TG_TG_R}{(4\pi d / \lambda)^2}]
其中,(P_R) 是接收天线处的功率,(G_R) 是相对于各向同性源的接收天线增益(dBi),(\lambda = \frac{C}{f}),(k = \frac{2\pi}{\lambda}) 是波数。
从上述公式可以推断出远场的自由空间路径损耗(FSPL)(P_L) 为:
[P_L
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