关于单片机的内存使用问题（norFlash、SRAM、nandFlash）

对单片机编程后，程序的代码段，data段，bss段，rodata段等都存放在Flash中。当单片机上电后，初始化汇编代码将data段，bss段，复制到RAM中，并建立好堆栈，开始调用程序的main函数。以后，便有了程序存储器，和数据存储器之分，运行时从Flash（即指令存储器，代码存储器）中读取指令 ，从RAM中读取与写入数据。RAM存在的意义就在于速度更快。ARM采用哈弗结构，SRAM取数据，FLASH取指令，两者同时进行，效率高。
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冯.诺依曼体系与哈佛体系的区别：
二者的区别就是程序空间和数据空间是否是一体的，早期的微处理器大多采用冯诺依曼结构，典型代表是Intel公司的X86微处理器，取指令和取操作数都在同一总线上，通过分时复用的方式进行的，缺点是在高速运行时,不能达到同时取指令和取操作数，从而形成了传输过程的瓶颈。
哈佛总线技术应用是以DSP和ARM为代表的，采用哈佛总线体系结构的芯片内部程序空间和数据空间是分开的，这就允许同时取指令和取操作数，从而大大提高了运算能力。
例如TMS320LF240x系列DSP是增强型的哈佛结构通过三组并行的总线访问多个存储空间，它们分别是：程序地址总线(PAB)、数据地址读总线(DRAB)、数据地址写总线(DWRB)。

• ARM-cortex-M3/4的单片机（比如STM32 MK60等）：该类单片机的代码在nor flash中，cortex内核可以直接运行，不需要将代码加载到ram中运行，nor flash可以直接寻址一个字节，可以找到一个指令的具体地址，因此可以直接运行。nand flash 的存储单元是块，不能对指令直接寻址，因此不能直接运行其中的代码。
• ARM-cortex-A系列的SOC（比如Exynos4412）：该类SOC更加复杂，通常有内存管理单元（MMU），代码存储在nand flash中，程序运行时，需要先将代码加载到ram中运行，该类SOC的启动环节包含了加载程序。就像Windows操作系统存储在硬盘中，开机的时候，操作系统的代码会加载到内存条（RAM）中。
• PC指针：无论什么单片机或者SOC，都有一个PC寄存器，这个寄存器保存了下一条待取指令的地址。正常情况下自动加“4”，遇到分支跳转的时候，由跳转指令设置值。
• 那么指针是什么？指针是一个变量的地址，在含有操作系统（比如Linux、Windows）即硬件层面含有内存管理单元（MMU）的情况下，指针是虚拟地址，不含操作系统的情况下，是物理地址，虚拟地址和物理地址经过MMU转换。
• 如果用户存在FLASH的实际代码大小（比如1MB），超过了RAM的可用空间（比如512KB），那这个搬移过程是啥样的？现在实际情况很少遇到这种情况，当然可能会有RAM很小的系统，可以分时分段的使用，即程序运行一段，加载一段，运行完，加载下一段。很不建议这样玩，现在的RAM很大了，你的实际代码达到1MB的时候，你的内存可能都有1G，2G了。比如Linux操作系统编译完后，实际上只有几MB，实际的Linux系统会有几个G 的内存可用。