NOR flash 和 NAND flash

NOR和NAND是两种主要的非易失闪存技术。NOR适合小容量,允许直接执行代码,读取速度快,但写入和擦除速度慢。NAND则有更高的存储密度,更快的写入和擦除速度,成本更低,但使用和管理较为复杂。NAND适用于大数据存储,而NOR适合存储少量代码。

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NOR和NAND都是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
NOR的特点:芯片内执行,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码独到系统RAM中。
                       NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益但是低写入速度和擦除速度大大影响了它的性能
           
NAND的特点:能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。
                          应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

NOR flash 和 NAND flash 【性能比较】:
1、读速度:NOR的稍快
2、写速度:NAND比NOR快很多。
3、擦除速度:NAND的4ms擦除速度比NOR的5s快很多(NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少)
             NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写
4、成本:NAND的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,且生产过程简单,在相同尺寸的情况下NAND可以做到的容量更大。所                          以价格相对较低
5、耐用性:在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。
                     通常NAND的可擦

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