38、氮化铟纳米材料的最新趋势

氮化铟纳米材料的最新趋势

1. 氮化铟纳米管的光学特性

氮化铟纳米管（InN NTs）在温度猝灭方面表现出良好特性，其Arrhenius图缺失，这种低温猝灭表明InN NTs具有高内部量子效率、低缺陷损耗和低载流子热逃逸。

涉及InN的三元体系也呈现出有趣的光发射现象。例如，InGaN纳米棒（NRs）的阴极发光（CL）光谱中心位于428 nm，半高宽约为30 nm，其成分为In₀.₁Ga₀.₉N。当In含量从x = 0.04 - 0.2变化时，相同的InₓGa₁₋ₓN NRs的CL发射可在380 nm（3.26 eV）至470 nm（2.64 eV）之间调节。InGaN/GaN多量子阱（MQW）NR阵列的低温光致发光（PL）光谱显示，与GaN势垒相比，InGaN量子阱的发光强度强三个数量级。并且，MQW NR阵列的温度相关（15 - 300 K）PL表明，随着温度升高，NR阵列中477 nm（2.6 eV）峰的PL猝灭显著降低。

2. 拉曼光谱分析

拉曼光谱是一种非侵入性方法，可用于确定晶体结构、载流子浓度、应力和晶体质量，是表征块状薄膜和纳米材料形式的InN材料的常用工具。稳定的纤锌矿型InN属于特定空间群，预测存在A₁、B₁、E₁和E₂的中心声子模式，其中A₁和E₁模式可分裂为横向光学（TO）和纵向光学（LO）模式，B₁模式在拉曼散射中是静默的。在掺杂样品中，还观察到了LO声子耦合（LOPC）模式。

不同样品中各拉曼模式的位置略有不同，这反映了它们的晶体质量。这些模式位置的偏移可能源于应力、载流子浓度、晶界、极化条件和晶体质量的差异。

与块状和薄膜材料相比，InN纳米材料的拉曼模式如图所示，不同拉曼模式的紧密接近