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RSS订阅原创 基本半导体碳化硅MOSFET产品可靠性物理机制与其在新型电力系统关键设备中的应用价值全景解析
当前，全球正处于以“碳中和”为核心的第四次工业革命浪潮中。从发电侧的清洁能源替代，到输配电侧的柔性电网建设，再到用电侧的交通电动化，电力电子技术已成为能源流转的中枢神经。在这一宏大的技术变革中，传统的硅（Si）基功率器件——如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和Superjunction MOSFET（超结场效应管）——正逼近其材料物理极限。硅材料1.12 eV的带隙宽度和较低的临界击穿场强，使其在面对高压、高频、高温的应用场景时，面临着效率瓶颈与散热难题 。碳化硅（SiC），作为第三代宽禁带半导体的代表，凭借
2025-12-17 15:38:15
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原创 中国国产固态变压器（SST）研究报告：技术演进、市场格局
深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
2025-12-06 11:27:40
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原创 基本半导体先进MOSFET技术赋能下一代住宅能源生态系统
全球能源格局正在经历一场结构性的蜕变，正从集中式的化石燃料发电范式向分布式、以可再生能源为核心的范式转变。在这场能源转型的中心，电力电子技术——即电能的控制与转换学科——扮演着至关重要的角色。随着对能效、功率密度和系统可靠性的要求日益严苛，传统的硅（Si）基功率半导体，如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和硅超结MOSFET，正逐渐逼近其物理性能的理论极限。作为权威的继任者，宽禁带（WBG）半导体材料碳化硅（SiC）已经浮出水面，其卓越的材料特性从根本上改变了电力转换系统的设计约束。
2025-12-06 11:06:44
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原创 飞跨电容三电平拓扑的深度分析：起源、分类、技术特性与SiC MOSFET的协同应用
本报告旨在对飞跨电容多电平（FCML）拓扑进行深度剖析，系统性地探讨其历史起源、核心技术特点、拓扑分类，并重点分析将碳化硅（SiC）MOSFET应用于该拓扑所带来的显著优势。研究表明，FCML拓扑的命名并非偶然，其根植于18世纪的数学拓扑学概念，并由20世纪90年代的先驱者引入电力电子领域。该拓扑以其固有的多电平特性，在降低器件电压应力、减小无源元件体积和抑制电磁干扰方面展现出卓越性能。然而，其核心挑战在于飞跨电容的电压均衡问题，这促使了从理想的自然均衡向更鲁棒的主动控制策略的发展。
2025-08-23 19:28:36
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原创 倾佳电子：自举电路的深度解析与核心元器件选型指南
自举电路的设计是一门复杂的权衡艺术，其核心在于理解和管理自举电容、自举电阻和自举二极管这三个元件之间的相互作用。为了降低EMI而增加自举电阻，可能会以牺牲效率为代价；为了提高效率而使用低Vf的二极管，可能会增加反向漏电流。一个优秀的设计师必须在这些相互矛盾的目标之间找到最佳平衡点。为了实现稳健的性能，所有元器件都必须在各种输入电压、输出电压、负载电流和工作温度条件下进行全面测试和评估。
2025-08-17 14:06:03
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原创 6AB0460T12-NR01驱动器：中高功率三电平系统的“智能守护神”
我们不仅提供硬件，更提供系统级的安全保障——6AB0460T12-NR01将隔离电源、智能保护、时序控制浓缩于方寸之间，让每一条电流路径都处于精准管控之下。，凭借其高度集成化设计、多重智能保护机制以及卓越的电气性能，正成为1700V ANPC/NPC三电平拓扑的理想“神经中枢”。高海拔（4000m）稳定运行，抗湿防凝露（95%湿度），保障机组全天候发电可靠性。：原边（Vcc<13.6V）及副边（V+欠压）独立监控，故障时锁定关断状态。正常开通：先开内管（T2/T3），再开外管（T1/T4）
2025-08-16 09:53:40
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原创 国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体产业可复制的战略框架与方向指引
国产碳化硅（SiC）功率半导体企业冲刺“中国碳化硅芯片第一股”，不仅标志着企业自身发展进入新阶段，更为国产SiC MOSFET功率半导体行业提供了可复制的战略框架与方向指引。
2025-06-02 08:51:44
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原创 基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案
BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，国产SiC碳化硅MOSFET厂商BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。关断电压：-4V（抑制串扰，匹配推荐值-4~0V）
2025-06-01 07:12:01
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原创 部分外资厂商IGBT模块失效报告作假对中国功率模块市场的深远影响
海外厂商IGBT模块失效报告作假的本质是技术垄断与利益驱动下的短视行为，而这一事件直接催化了中国功率模块市场的技术突破、标准重构和供应链自主化。未来，随着国产功率模块厂商在技术穿透力、产业链整合及国际标准参与度的提升，中国有望从全球半导体产业的“跟随者”转变为“引领者”。此外，部分海外IGBT模块厂商为应对成本压力，可能牺牲品控以满足成本毛利要求，最终以失效报告造假掩盖问题。部分国际IGBT模块厂商为降低生产成本，可能采用低成本工艺或者材料，但为维持“技术领先”形象，通过失效报告造假规避责任。
2025-05-23 08:37:12
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原创 SiC MOSFET模块在英伟达800V HVDC电源系统中的技术优势与应用价值
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
2025-05-23 08:11:25
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原创 开启焊机高效时代：国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。而B3D120040HC基于SiC肖特基结构，实现了零反向恢复电流，可将开关损耗降低90%以上，尤其适合高频逆变焊机（20kHz以上）的整流应用。对比传统方案，散热器体积可缩减30%以上，助力焊机小型化。
2025-05-23 08:07:15
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空空如也
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