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原创国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体产业可复制的战略框架与方向指引

国产碳化硅（SiC）功率半导体企业冲刺“中国碳化硅芯片第一股”，不仅标志着企业自身发展进入新阶段，更为国产SiC MOSFET功率半导体行业提供了可复制的战略框架与方向指引。

2025-06-02 08:51:44 979

原创基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案

BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，国产SiC碳化硅MOSFET厂商BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。关断电压：-4V（抑制串扰，匹配推荐值-4~0V）

2025-06-01 07:12:01 663

原创部分外资厂商IGBT模块失效报告作假对中国功率模块市场的深远影响

海外厂商IGBT模块失效报告作假的本质是技术垄断与利益驱动下的短视行为，而这一事件直接催化了中国功率模块市场的技术突破、标准重构和供应链自主化。未来，随着国产功率模块厂商在技术穿透力、产业链整合及国际标准参与度的提升，中国有望从全球半导体产业的“跟随者”转变为“引领者”。此外，部分海外IGBT模块厂商为应对成本压力，可能牺牲品控以满足成本毛利要求，最终以失效报告造假掩盖问题。部分国际IGBT模块厂商为降低生产成本，可能采用低成本工艺或者材料，但为维持“技术领先”形象，通过失效报告造假规避责任。

2025-05-23 08:37:12 678

原创 SiC MOSFET模块在英伟达800V HVDC电源系统中的技术优势与应用价值

倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。

2025-05-23 08:11:25 586

原创开启焊机高效时代：国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析

倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。而B3D120040HC基于SiC肖特基结构，实现了零反向恢复电流，可将开关损耗降低90%以上，尤其适合高频逆变焊机（20kHz以上）的整流应用。对比传统方案，散热器体积可缩减30%以上，助力焊机小型化。

2025-05-23 08:07:15 874 1