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RSS订阅原创 中国国产固态变压器（SST）研究报告：技术演进、市场格局
深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
2025-12-06 11:27:40
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原创 基本半导体先进MOSFET技术赋能下一代住宅能源生态系统
全球能源格局正在经历一场结构性的蜕变，正从集中式的化石燃料发电范式向分布式、以可再生能源为核心的范式转变。在这场能源转型的中心，电力电子技术——即电能的控制与转换学科——扮演着至关重要的角色。随着对能效、功率密度和系统可靠性的要求日益严苛，传统的硅（Si）基功率半导体，如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和硅超结MOSFET，正逐渐逼近其物理性能的理论极限。作为权威的继任者，宽禁带（WBG）半导体材料碳化硅（SiC）已经浮出水面，其卓越的材料特性从根本上改变了电力转换系统的设计约束。
2025-12-06 11:06:44
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原创 飞跨电容三电平拓扑的深度分析：起源、分类、技术特性与SiC MOSFET的协同应用
本报告旨在对飞跨电容多电平（FCML）拓扑进行深度剖析，系统性地探讨其历史起源、核心技术特点、拓扑分类，并重点分析将碳化硅（SiC）MOSFET应用于该拓扑所带来的显著优势。研究表明，FCML拓扑的命名并非偶然，其根植于18世纪的数学拓扑学概念，并由20世纪90年代的先驱者引入电力电子领域。该拓扑以其固有的多电平特性，在降低器件电压应力、减小无源元件体积和抑制电磁干扰方面展现出卓越性能。然而，其核心挑战在于飞跨电容的电压均衡问题，这促使了从理想的自然均衡向更鲁棒的主动控制策略的发展。
2025-08-23 19:28:36
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原创 倾佳电子：自举电路的深度解析与核心元器件选型指南
自举电路的设计是一门复杂的权衡艺术，其核心在于理解和管理自举电容、自举电阻和自举二极管这三个元件之间的相互作用。为了降低EMI而增加自举电阻，可能会以牺牲效率为代价；为了提高效率而使用低Vf的二极管，可能会增加反向漏电流。一个优秀的设计师必须在这些相互矛盾的目标之间找到最佳平衡点。为了实现稳健的性能，所有元器件都必须在各种输入电压、输出电压、负载电流和工作温度条件下进行全面测试和评估。
2025-08-17 14:06:03
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原创 6AB0460T12-NR01驱动器：中高功率三电平系统的“智能守护神”
我们不仅提供硬件，更提供系统级的安全保障——6AB0460T12-NR01将隔离电源、智能保护、时序控制浓缩于方寸之间，让每一条电流路径都处于精准管控之下。，凭借其高度集成化设计、多重智能保护机制以及卓越的电气性能，正成为1700V ANPC/NPC三电平拓扑的理想“神经中枢”。高海拔（4000m）稳定运行，抗湿防凝露（95%湿度），保障机组全天候发电可靠性。：原边（Vcc<13.6V）及副边（V+欠压）独立监控，故障时锁定关断状态。正常开通：先开内管（T2/T3），再开外管（T1/T4）
2025-08-16 09:53:40
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原创 国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体产业可复制的战略框架与方向指引
国产碳化硅（SiC）功率半导体企业冲刺“中国碳化硅芯片第一股”，不仅标志着企业自身发展进入新阶段，更为国产SiC MOSFET功率半导体行业提供了可复制的战略框架与方向指引。
2025-06-02 08:51:44
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原创 基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案
BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，国产SiC碳化硅MOSFET厂商BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。关断电压：-4V（抑制串扰，匹配推荐值-4~0V）
2025-06-01 07:12:01
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原创 部分外资厂商IGBT模块失效报告作假对中国功率模块市场的深远影响
海外厂商IGBT模块失效报告作假的本质是技术垄断与利益驱动下的短视行为，而这一事件直接催化了中国功率模块市场的技术突破、标准重构和供应链自主化。未来，随着国产功率模块厂商在技术穿透力、产业链整合及国际标准参与度的提升，中国有望从全球半导体产业的“跟随者”转变为“引领者”。此外，部分海外IGBT模块厂商为应对成本压力，可能牺牲品控以满足成本毛利要求，最终以失效报告造假掩盖问题。部分国际IGBT模块厂商为降低生产成本，可能采用低成本工艺或者材料，但为维持“技术领先”形象，通过失效报告造假规避责任。
2025-05-23 08:37:12
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原创 SiC MOSFET模块在英伟达800V HVDC电源系统中的技术优势与应用价值
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
2025-05-23 08:11:25
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原创 开启焊机高效时代：国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。而B3D120040HC基于SiC肖特基结构，实现了零反向恢复电流，可将开关损耗降低90%以上，尤其适合高频逆变焊机（20kHz以上）的整流应用。对比传统方案，散热器体积可缩减30%以上，助力焊机小型化。
2025-05-23 08:07:15
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空空如也
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