PMOS与NMOS的部分特性、应用（锂电保护等）及选型分析

1. PMOS的RDS(on)为何通常比NMOS大？

• 物理本质：PMOS的载流子是空穴，NMOS是电子。电子迁移率（~1500 cm²/(V·s)）远高于空穴（~500 cm²/(V·s)），因此相同芯片面积下，NMOS的导通电阻（RDS(on)）更低。

• 工艺影响：PMOS需更大的芯片面积才能达到与NMOS相同的RDS(on)，导致成本上升。例如，相同电流能力下，PMOS的芯片面积可能是NMOS的2-3倍。

2. NMOS与PMOS的使用差异

特性	NMOS	PMOS
导通方向	源极→漏极（低端开关）	漏极→源极（高端开关）
驱动电压	V_GS > V_th（栅极高于源极）	V_GS < V_th（栅极低于源极）
驱动难度	低端开关易驱动（以GND为参考）	高端开关需电荷泵或自举电路
速度	快（高迁移率）	较慢（