VBsemi 第三代 SiC MOSFET：21mΩ 阻抗如何颠覆快充版图

作为专注于高性能MOSFET设计的领先企业，VBsemi（微碧半导体）针对电动汽车直流快充、储能系统（ESS）及双向充电（V2G）等关键领域，推出多款基于第三代SiC技术的MOSFET产品。这些器件凭借超低导通电阻、高开关效率及卓越的散热性能，可完美替代传统硅基方案，助力客户构建更紧凑、更高效的功率系统。+

产品核心优势

1. 极致效率

采用先进SiC工艺，开关损耗降低50%以上，系统效率突破96%。

与IGBT方案相比，显著减少热能损耗，简化冷却设计。

2. 高功率密度

小封装（如T0247、T02474L）支持高电流输出，节省PCB空间。

例如：VBP112MC100在100A电流下导通电阻仅21mΩ，适合大功率密集部署。

3. 可靠性保障

全系列器件通过严格的动态参数测试，确保高温、高湿等严苛环境下的稳定性。

重点型号推荐

基于附件参数表，以下VBsemi MOSFET为快充与储能优化设计：

设计支持与行业价值

快速选型：提供可靠方案，缩短开发周期。

电网友好：支持V2G技术，缓解充电高峰对电网的冲击。

市场趋势：据预测，2030年全球SiC功率器件市场规模将超100亿美元，VBsemi以高性价比方案抢占先机。

选择VBsemi MOSFET，以单管性能重构系统能效边界！

（注：所有参数均基于官方数据，具体设计需参考规格书及应用指南。）

微碧半导体诚邀您莅临2025年4月15日至17日在上海新国际博览中心举办的慕尼黑展会，参观我们的N4.229展位。届时，我们将展示最新的技术和产品创新，为您呈现行业前沿的半导体解决方案。无论您是新客户还是老朋友，我们都期待与您深入交流，共同探讨未来的科技创新，携手推动半导体行业的发展。期待在展会上与您相见！