KD2319SRG-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**VBsemi KD2319SRG-VB**

- **参数说明：**
  - 封装类型：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 最大耐压：-30V
  - 最大电流：-5.6A
  - 开启电压（门源电压）：Vth=-1V
  - 开启电阻：RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **应用简介：**
  - **SOT23封装：** 小型、适用于紧凑空间的电子应用。
  - **P—Channel设计：** 适用于需要P型场效应晶体管的电路。
  - **低电压、高电流：** 适用于要求较大电流的低电压电源和功率管理应用。
  - **低开启电阻：** 提供较低的导通电阻，适用于要求高效能的电路。

- **领域和模块应用：**
  - **电源管理模块：** 由于其P—Channel设计和较大电流能力，可用于低电压电源管理模块。
  - **功率放大器：** 适用于需要P型场效应晶体管的功率放大器电路。
  - **DC-DC转换器：** 用于构建高效率、低电压的DC-DC转换器。
  - **电流控制应用：** 由于其低开启电阻，可用于电流控制电路。

这款VBsemi KD2319SRG-VB场效应晶体管适用于多种电源管理和功率控制应用，特别是对低电压和高电流要求较高的场景。