4525GEM-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**4525GEM-VB**

**丝印：** VBA5638  
**品牌：** VBsemi  
**封装：** SOP8  

**详细参数说明：**  
- N+P—Channel沟道  
- 额定电压：±60V  
- 最大电流：6.5A（正向），5A（反向）  
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：28mΩ（正向，VGS=10V），51mΩ（反向，VGS=20V）  
- 门源极阈值电压（Vth）：±1.9V  

**应用简介：**  
4525GEM-VB是一款N+P—Channel沟道MOSFET，具有较高的额定电压和电流能力，适用于各种功率控制、电源管理和开关应用。

**举例说明：**  
1. **电源管理模块**：4525GEM-VB可用于电源管理模块中，用于开关电源、电池充放电管理等。其高额定电压和电流能力，以及低漏极-源极电阻，使其在这些模块中具有良好的性能和可靠性。

2. **电动车辆充电模块**：在电动车辆充电桩中，4525GEM-VB可用作充电控制模块的开关器件，实现电动车辆的快速充电和安全保护。其高额定电压和电流能力使其成为这些模块中的理想选择。

3. **电机驱动模块**：在电机驱动模块中，4525GEM-VB可用作开关管，实现电机的正向和反向控制。其高可靠性和低漏极-源极电阻特性使其成为这些模块中的理想选择。

综上所述，4525GEM-VB适用于电源管理、电动车辆充电、电机驱动等领域的模块设计，具有良好的性能和应用前景。