栅极驱动 IC 式自举电路的设计说明

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#单片机 #嵌入式硬件 #MOS管 #MOSFET #电路设计

自举式电路通过自举电阻和二极管为自举电容充电，用于处理高电压栅极驱动，特别适用于输入电平受限的场合。然而，它有成本低但存在占空比限制、负电压影响和电容选择挑战等问题，需配合PWM算法优化.

自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的。

当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地时 ，（低端开关导通，高端开关关断）

电源 VDD 通过自举电阻RBOOT，和自举二极管DBOOT，对自举电容CBOOT，进行充电。

当

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当 VS 被高端开关上拉到一个较高电压时（低端开关关断，高端开关导通），由于VBS 已对该自举电容CBOOT充电，此时，VBS 电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压 和 IC 电源电压 VDD，被隔离开。根据开关时间确定电阻值时，我们需要知道电源电压 VDD ( 或 VBS)，栅极驱动器的等效导通电阻 (RDRV(ON))，和开关器件的参数 (Qgs, Qgd, 和 Vgs(th))。自举电容 (CBOOT) 每次都被充电，此时，低端驱动器导通，输出电压低于栅极驱动器的电源电压 (VDD)。
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