型号 IRFL210TRPBF丝印 VBJ1201K品牌 VBsemi参数说明 - MOSFET类型 N沟道- 额定电压(VDS) 200V - 额定电流(ID) 1A - 开通电阻(RDS(ON)) 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth) 2~4V - 封装类型 SOT223

应用简介 这款IRFL210TRPBF MOSFET是一款高电压N沟道MOSFET,适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和适中的额定电流能力,适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 - 电源管理模块 适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。- 工业自动化模块 适用于高压工业自动化控制系统中的功率开关和控制模块。- 汽车电子模块 适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等低功率汽车电子模块。- 通信设备模块 适用于高压高功率通信设备中的功率放大和开关模块。总之,IRFL210TRPBF MOSFET适用于需要高电压N沟道MOSFET进行低功率开关和功率转换的各种应用场景,提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能,特别适用于低功率应用的模块。
IRFL210TRPBF是一款高电压N沟道MOSFET,适合高压场景,用于低功率电源管理、工业自动化、汽车电子和通信设备,提供稳定的电流控制和低功耗转换,特别适合模块设计。
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