型号 IRLR3103TRPBF丝印 VBE1307品牌 VBsemi参数 - 频道类型 N沟道- 额定电压 30V- 额定电流 60A- RDS(ON) 10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V- 门源电压范围 ±20V- 门源阈值电压 1.6V- 封装类型 TO252

应用简介 IRLR3103TRPBF(丝印 VBE1307)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 IRLR3103TRPBF是一款N沟道功率MOSFET,具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V,额定电流为60A,RDS(ON)为10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为1.6V,封装类型为TO252。应用领域 IRLR3103TRPBF(VBE1307)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要高电流承载能力和低导通电阻的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 IRLR3103TRPBF可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2. 电机驱动 它可应用于电机驱动电路中,提供高功率和高效能的电力输出,适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3. 汽车电子系统 IRLR3103TRPBF适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高电流和高功率的要求。综上所述,IRLR3103TRPBF(VBE1307)是一款N沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高电流承载能力和低导通电阻,适用于需要高功率和高效能的电路。
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