型号 ZVN2120GTA丝印 VBJ1201K品牌 VBsemi参数说明 - MOSFET类型 N沟道- 额定电压(VDS) 200V - 额定电流(ID) 1A - 开通电阻(RDS(ON)) 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth) 2~4V - 封装类型 SOT223

应用简介 这款ZVN2120GTA MOSFET是一款高压N沟道MOSFET,适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和适中的额定电流能力,适用于中功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 - 电源管理模块 特别适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等中功率电源模块。- 工业自动化模块 用于高压工业自动化控制系统中的功率开关和控制模块。- 照明模块 适用于某些需要高压和中功率的照明驱动电路和控制模块。- 电动车电池管理模块 在电动车充电、放电保护和电池管理等方面发挥作用。总之,ZVN2120GTA MOSFET适用于需要高压N沟道MOSFET进行中功率开关和功率转换的各种应用场景,提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能。
本文介绍了VBsemi品牌型号ZVN2120GTA的MOSFET,专为高压应用场景设计,具有200V额定电压和1A额定电流,适用于电源管理、工业自动化、照明和电动车电池管理等领域,提供稳定可靠的功率控制.
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