NT2955G-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2024-09-27 10:43:59 发布
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#MOS管 #VBsemi #MOS #mosfet #NT2955G

本文详细介绍了NT2955G(VBE2610N)的参数特性，包括工作电压、电流、导通电阻和封装，特别强调了其在高功率应用如电源开关、逆变器中的优势。

NT2955G（ VBE2610N）
参数描述：
P沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.3Vth(V)；TO252


型号参数介绍：
NT2955G (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。


应用简介：NT2955G适用于功率开关和逆变器等高功率应用的P沟道MOSFET。
其能够处理较大的电流和电压，适用于高功率需求的场景。
优势与适用领域：具有较大的电流和电压承载能力，适用于高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。

AD20使用之 原理图中批量修改元器件封装（封装管理器使用）
weixin_38749834的博客
09-13 5万+
封装管理器1、打开封装管理器2、填写封装3、浏览封装库列表和封装列表4、添加封装库到项目5、接受变化6、完成后可以在查看下修改后的封装 1、打开封装管理器 如图一：我们现在使用的是封装是0603的，而且还没有预览图，估计这个封装是没找到 那么我们可以点击Tools→Footpring Manager…（TG）打开封装管理器 下图i便是封装管理器界面 2、填写封装 如果该封装已经在存在，可以直接在Name中输入封装名称，如果不存在，或者不记得封装名字了，则走第三步 3、浏览封装库列表和封装列表 如果列
MJD2955G的技术参数
12-10
产品型号:MJD2955G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):10直流电流增益hFE最小值(dB):20直流电流增益hFE最大值(dB):100最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2总功耗PD(W):20封装/温度(℃):3DPAK/-55~150价格/1片(套):￥3.20  
中广芯源5N50 TO-252 贴片高压MOS管 消费电子用MOS 场效应管引脚
mk015的博客
08-07 1156
(如无特殊说明，TC=25℃)(如无特殊说明，TC=25℃)消费电子电源电机控制器。
042N04N-VB一款N-Channel沟道DFN8(3X3)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
07-06 294
1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流处理能力，`042N04N-VB` 非常适合用于高效电源管理系统，如DC-DC转换器和AC-DC电源模块。3. **通信设备**: 在通信设备的电源供应单元（PSU）中，`042N04N-VB` 可用于高效的电能传输，确保设备在高性能条件下稳定运行。2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统中，该MOSFET可以用于高效能量转换和电池保护，提升整车的续航能力和安全性。- **替代型号**: 042N04N-VB。- **配置**: 单N沟道。
ME20N03-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
VBsemi的博客
11-30 365
2. **电机驱动**：这种MOSFET器件的高电流承受能力和低电阻使其非常适合用于高功率电机驱动器、电机控制和电机保护，可用于工业电机和汽车电机等领域。1. **电源模块**：ME20N03-VB适用于开关电源、电源管理模块和高功率电源放大器，有助于提高电能转换效率，特别适用于高功率应用。3. **电池保护**：在高功率电池组中，如电动汽车、电池储能系统和电池保护模块，ME20N03-VB可用于电池保护和电池组的高电流管理。- 门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）型号：ME20N03-VB。
NTD5806NT4G-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析
10-12
NTD5806NT4G-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO252封装，适用于各种电子设备中的电源管理、OR-ing和服务器应用。这款MOSFET具有高效能和低电阻的特点，适合在直流/...
NTJD4401NT1G-VB一款SC70-6封装 MOSFET参数应用解析
10-12
NTJD4401NT1G是一款由VBsemi公司生产的双N沟道MOSFET，采用SC70-6封装。这款MOSFET设计适用于便携式应用中的负载开关，具有环保特性，符合RoHS指令，并且通过了100%的Rg测试，具备2100V的典型人体模型（HBM）静电...
NTA7002NT1G-VB一款N沟道SC75-3封装MOSFET应用分析
01-08
NTA7002NT1G-VB是一款N沟道MOSFET，采用SC75-3封装，适用于智能电话、平板电脑等设备的DC/DC转换器、升压转换器以及负载开关和OVP（过电压保护）开关等应用。这款MOSFET以其高效能和紧凑的封装尺寸为特点。 NTA7002...
NTD4965NT4G-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
11-24
NTD4965NT4G-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为各种应用设计，如OR-ing和服务器中的电源管理。这款MOSFET具有以下特点： 1. **TrenchFET技术**：TrenchFET是一种沟槽型结构的MOSFET，通过在硅片上蚀刻出...
IRFR120NTRPBF-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-11 1208
IRFR120NTRPBF (VBE1101M)参数说明：N沟道，100V，18A，导通电阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.6V，封装：TO252。N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；应用简介：IRFR120NTRPBF适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。优势与适用领域：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。
常用电子器件学习——MOS管
纵行山河万里~
01-23 2337
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。记住 MOS管有 三个引脚名称：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。
50P04一款TO252封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-07 456
50P04 (VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。P沟道,-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.6Vth(V)；适用领域与模块：适用于高功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合高功率要求的场景。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。应用简介：50P04适用于高功率开关和电流控制等领域。
D4185-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管
最新发布
VBsemi_MOSFET的博客
09-27 656
D4185-VB 是由 VBsemi 生产的 P-Channel 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它具有负压 -40V、电流 -65A 和 RDS(ON) 为 10mΩ@VGS=10V 的特性。1. 电源管理系统：D4185-VB 适用于开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统中的功率开关和电流控制，例如便携式设备、家用电器和工业自动化设备中的电源模块。3. 工业电源系统：在工业设备和机械中，D4185-VB 可以用于开关电源、电流控制和电动机启动器，提供高效的能量转换和电路保护。
MDD | TO-252封装选型指南
m0_67235972的博客
08-09 2806
MDD TO-252封装选型指南来了！ TO-252 产 品 特 点 Product Features 贴片设计 (占用空间小，节约插件成本，提升生产效率) 更高的可靠性 (全铜框架结构，导电性和导热性更好) 更低的热阻 (铜面/焊盘更大，散热更快) 产品种类多样化 (可以根据客户要求来定制) TO-252 产 品 应 用 product Application 应用于开关电...
基本元器件 - 场效应管
qq_35654286的博客
05-30 4043
场效应管是一种电压控电流的器件。其中，我们常用的 MOS 管是由是金属（metal）、氧化物（oxide）、半导体（semiconductor）组成的场效应晶体管。下文着重介绍以增强型 N 管。
NDT2955_SOT23-3封装MOSFET参数应用
VBsemi的博客
09-21 108
在工业自动化中，NDT2955可用于驱动电机、管理逆变器，并在各种机械中实现高效的电能转换。此外，它在LED照明应用中发挥着关键作用，可以高效地驱动LED并帮助实现所需的照明效果。这款MOSFET属于P沟道晶体管，具有出色的规格，包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。具有20Vgs（±V）的栅源电压范围和-1~-3V的阈值电压范围，该元件提供了多样化的控制可能性。其在电源管理、电机控制和LED照明领域的集成为各种模块设计提供了高效可靠的解决方案。
2N65H-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
08-12 357
这款MOSFET具有650V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为4.5V时为3440mΩ，在栅源电压为10V时为4300mΩ，最大漏极电流（ID）为2A。| 导通电阻（RDS(ON)） | 3440mΩ@VGS=4.5V, 4300mΩ@10V || 漏源电压（VDS） | 650V || 栅源电压（VGS） | 30V（±） |
AOD409-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-08 1022
AOD409 (VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。P沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；应用简介：AOD409适用于中高功率P沟道MOSFET，常见于电源开关、逆变器和电机驱动等领域模块。优势与适用领域：适用于中高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。其高功率承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。
NT2955G-VB: TO252封装P沟道60V高流密度MOSFET详解
NT2955G-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道高压MOSFET，采用TO252封装，特别适合于需要高电压和大电流处理的应用。这款器件具有以下关键特性： 1. **电压和电阻特性**： - VDS（漏极电压）最大值为-60V，确保了在...
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