IRLR7843TRPBF-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

IRLR7843TRPBF （VBE1303）
参数描述：
N沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.9Vth(V)；TO252

型号参数介绍：
IRLR7843TRPBF (VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：1.9V；封装：TO252

应用简介：IRLR7843TRPBF (VBE1303) 是一款N沟道MOSFET，适用于高电流和高功率应用。
其高额定电流和低导通电阻适合高功率开关控制。
常用于电源开关、电机驱动、工业自动化等。

优势：高电流能力：适用于高电流和高功率应用。
低导通电阻：降低功耗，提高效率。
适用封装：TO252封装适合中等功率应用。
适用模块：IRLR7843TRPBF (VBE1303) 适用于高功率开关控制模块，如电源管理模块、电机驱动模块、工业自动化控制模块等。