BSS308PE(VB1240)
参数描述:
N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V);SOT23

型号参数介绍:
CES2312 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。
应用简介:CES2312是一款中低电压N沟道MOSFET,适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。
优势与适用领域:具有低导通电阻和可调的阈值电压,适用于要求低电压降和灵活性的领域,如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。
本文详细介绍了BSS308PE和CES2312两种N沟道MOSFET的参数,包括电压、电流和电阻等特性。CES2312特别强调了低导通电阻和可调阈值电压,适用于低电压降和需要灵活性的应用,如电池管理、便携设备和LED驱动等。
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