【FPGA编程：基于Verilog实现伪双端口RAM】

最新推荐文章于 2025-05-08 11:18:32 发布

数据挖掘奇才

最新推荐文章于 2025-05-08 11:18:32 发布

阅读量323

点赞数 1

CC 4.0 BY-SA版权

文章标签： fpga开发 matlab

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/TechPulseZ/article/details/132195200

Matlab 专栏收录该内容

195 篇文章 ¥49.90 ¥99.00

订阅专栏

本文介绍如何使用Verilog语言实现伪双端口RAM，包括代码解析、参数说明及防止读写地址冲突的方法，展示FPGA高速存储解决方案。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

【FPGA编程：基于Verilog实现伪双端口RAM】
随着FPGA技术的不断发展，越来越多的应用场景需要大容量高速的存储器件。而伪双端口RAM因为具备读写口独立、数据并行等优点，成为了FPGA中广泛应用的存储器件之一。本文将结合Verilog语言，详细介绍如何实现一个伪双端口RAM。

Verilog代码如下：

module RAM(
  input clk,
  input [9:0] addr1, addr2,
  input [31:0] data_in,
  output reg [31:0] data_out1, data_out2,
  input we1, we2);

  reg [31:0] mem[1024];

  always @(posedge clk) begin
    if(we1) mem[addr1] <= data_in;
    if(we2) mem[addr2] <= data_in;
    data_out1 <= mem[addr1];
    data_out2 <= mem[addr2];
  end

endmodule

其中，参数包括：