三极管(BJT,Bipolar Junction Transistor)和 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是两种不同类型的晶体管,它们在工作原理、性能特性和应用方面有一些重要的区别。
结构和工作原理:
三极管
- 三极管: 三极管有三个区域:发射极(Emitter)、基极(Base)、集电极(Collector)。它工作基于二极管 PN 结的导电性改变。当在基极-发射极之间施加正电压时,电子从发射极进入基极,形成电流,同时在集电极和发射极之间产生电流。
- 电流控制: 控制电流通过基极和发射极之间的电流,通常使用小电流控制大电流。可以等效为BE之间有一个二极管。
MOS
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MOSFET: MOSFET 有四个主要区域:栅极(Gate)、漏极(Drain)、源极(Source)、绝缘层(Oxide)。它的工作原理基于栅极电场的控制,当在栅极和源极之间施加电压时,形成电场,控制了漏极和源极之间的电流。MOSFET 分为 N-channel(NMOS)和 P-channel(PMOS)两种类型,取决于半导体材料的类型。
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电压控