本文探讨了KVSSD（Key-Value SSD）的设计，它结合LSM树和Flash Translation Layer（FTL），旨在减少写入放大问题。通过K2P Mapping、Remapping Compaction和冷热分离技术，KVSSD提高了SSD的写入效率和性能。实验证明，KVSSD可以显著降低写放大，提升吞吐量，但可能会增加读取放大。目前，KVSSD的相关指令集已被纳入NVMe 2.0规范，展示了其在工业界的潜力。
本次分享的 Paper[1]：《 KVSSD：Close integration of LSM trees and flash translation layer for write-efficient KV store 》是在 18 年的 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE) 会议上出现的 KVSSD，作者为：Sung-Ming Wu[2]、Kai-Hsiang Lin[3]、 Li-Pin Chang[4]。
这篇 Paper 主要思路是在 SSD 上直接提供 KV 接口，将 LSM Tree 与 FTL 深度结合，从而避免从 LSM Tree，主机文件系统到 FTL 多个软件层的写入放大。跟大家分享这篇 Paper ，一方面是蹭一蹭 KV 接口已经成功进入 NVMe 2.0 规范被标准化的热点，另一方面是为了和 TiKV / TiDB 的同学探讨未来存储硬件的更多可能性，希望能带来一些启发。
本文将首先介绍问题的背景，什么是写放大，哪里产生了写放大，然后引出解决方案，介绍 KVSSD 做了哪些优化，之后再介绍 KVSSD 的性能评估数据，以及工业上的进展。
背景
首先我们来聊聊背景。这是一个 TiKV 的架构图：
我们都知道 TiKV 是一个分布式的 Key-Value 数据库，TiKV 的每一个节点都运行着一个 RocksDB 的实例，就像是这样：
RocksDB 基于 Log-structed merge-tree (LSM) 开发的，LSM tree 是目前业界运用最为广泛的持久化数据结构之一。我们要讨论的问题就是 LSM tree 在 SSD 上遇到的写入放大问题及其解决方案。
KV 存储系统中的写放大
从存储的视角来看，一个 KV 存储的软件堆栈大概是这样的：
最顶层是一颗 LSM tree，具体的实现就不展开了。大体的思路是在内存中维护可变的 Memtable，在 SSD 上维护不可变的 SSTable。Memtable 写满后会作为 SSTable 输入存储，而所有的 SSTable 会组合成一颗分层的树，每一层写满后就会向下一层做 compaction。LSM tree 维护过程中产生的 IO 会通过文件系统与 BIO 层的转换落到 SSD 上。
然后看一下文件系统。显然的，文件落到文件系统上必然会有一些额外的开销，比如说我们需要维护文件的 Metadata。inode、大小、修改时间、访问时间等都需要持久化。此外，文件系统需要能够保证在 crash 的时候不丢失已经写入的数据，所以还需要引入日志，写时复制这样的技术。
然后再来看看 SSD 这一层。一个典型的 NAND
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