珍珠(bead)

珍珠(bead)
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【题目描述】
有n颗形状和大小都一致的珍珠,它们的重量都不相同。n为整数,所有的珍珠从1到n编号。你的任务是发现哪颗珍珠的重量刚好处于正中间,即在所有珍珠的重量中,该珍珠的重量列(n+1)/2位。下面给出将一对珍珠进行比较的办法:

给你一架天平用来比较珍珠的重量,我们可以比出两个珍珠哪个更重一些,在作出一系列的比较后,我们可以将某些肯定不具备中间重量的珍珠拿走。

例如,下列给出对5颗珍珠进行四次比较的情况:

1、珍珠2比珍珠1重

2、珍珠4比珍珠3重

3、珍珠5比珍珠1重

4、珍珠4比珍珠2重

根据以上结果,虽然我们不能精确地找出哪个珍珠具有中间重量,但我们可以肯定珍珠1和珍珠4不可能具有中间重量,因为珍珠2、4、5比珍珠1重,而珍珠1、2、3比珍珠4轻,所以我们可以移走这两颗珍珠。

写一个程序统计出共有多少颗珍珠肯定不会是中间重量。

【输入】
第一行包含两个用空格隔开的整数N和M,其中1≤N≤99,且N为奇数,M表示对珍珠进行的比较次数,接下来的M行每行包含两个用空格隔开的整数x和y,表示珍珠x比珍珠y重。

【输出】
一行包含一个整数,表示不可能是中间重量的珍珠的总数。

【输入样例】
5 4
2 1
4 3
5 1
4 2
【输出样例】
2


首先若:重量:A>B且B>C则A>C。题意要输出不可能是中间重量的珍珠,假设A重量为中间重量,则他前面就会有(n+1)/2-1个珍珠,后面也会有(n+1)/2-1个珍珠。所以不在中间重量的珍珠必有比他重超过(含等于) (n+1)/2或者比他轻超过(含等于) (n+1)/2的珍珠个数。所以根据Floyd原理可以求解。

#include<bits/stdc++.h>
using namespace std;
typedef long long int ll;
const int N=100+30;
int a[N][N],b[N][N],num1[N],num2[N];
void init()
{
    memset(a,0,sizeof(a));
    memset(b,0,sizeof(b));
    memset(num1,0,sizeof(num1));
    memset(num2,0,sizeof(num2));
}
int main()
{
    int n,m,x,y;
    cin>>n>>m;
    init();
    for(int i=1;i<=m;i++)
    {
        cin>>x>>y;
        a[x][y]=1;//x比y重
        b[y][x]=1;//y比x轻
    }
    for(int k=1;k<=n;k++)
    {
        for(int i=1;i<=n;i++)
        {
            for(int j=1;j<=n;j++)
            {
                if(i==j||i==k||j==k)continue;
                if(a[i][k]&&a[k][j])//若i比k重且k比j重
                {
                    a[i][j]=1;//则i比j重
                    b[j][i]=1;//则j比i轻
                }
                if(b[i][k]&&b[k][j])//若i比k重且k比j轻
                {
                    b[i][j]=1;//则i比j轻
                    a[j][i]=1;//则j比i重
                }
            }
        }
    }
    for(int i=1;i<=n;i++)
    {
        for(int j=1;j<=n;j++)
        {
            if(i==j)continue;
            if(a[i][j])num1[i]++;//统计比i重的个数
            if(b[i][j])num2[i]++;//统计比i轻的个数
        }
    }
    int sum=0;
    for(int i=1;i<=n;i++)
    {
        if(num1[i]>=(n+1)/2||num2[i]>=(n+1)/2)sum++;//枚举符合条件的点
    }
    cout<<sum<<endl;
    return 0;
}
<think>我们正在处理用户关于磁珠(Bead)和电感(Inductor)区别的问题。首先,我们需要进行网络搜索,收集相关信息。然后,我们将按照要求整合信息,生成答案,最后提出相关问题。 搜索关键词:磁珠和电感的区别 通过搜索,我们可以得到以下关键点: 1. **功能差异**: - 电感(电感器)主要用于储能和滤波,在电路中产生磁场,存储能量,常用于LC滤波电路、谐振电路等。 - 磁珠(铁氧体磁珠)主要用于吸收高频噪声,将高频能量转化为热能消耗掉,常用于抑制信号线、电源线上的高频干扰。 2. **频率特性**: - 电感在低频时呈现电感特性,但在高频时由于分布电容的影响,可能失去电感特性。 - 磁珠在低频时阻抗很低,而在高频时阻抗很高,其特性由铁氧体材料的特性决定,通常有一个特定的抑制频率范围。 3. **电路符号与模型**: - 电感在电路图中通常用线圈符号表示。 - 磁珠的电路符号有时与电感类似,但磁珠的等效电路是一个电阻和电感的串联,其中电阻值随频率变化。 4. **直流电阻(DCR)**: - 电感的直流电阻通常较小,以减少直流损耗。 - 磁珠的直流电阻也较小,但在高频时其等效电阻(感抗)很大。 5. **应用场景**: - 电感:用于DC-DC转换器、LC滤波、谐振电路、扼流圈等。 - 磁珠:用于抑制电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI),常用于电源线、信号线的滤波。 6. **参数表示**: - 电感的主要参数是电感值(单位:亨,H)和饱和电流。 - 磁珠的主要参数是阻抗(单位:欧姆,Ω)和频率特性(通常给出特定频率下的阻抗值,如100MHz)。 7. **能量处理**: - 电感存储能量,不消耗能量(理想情况下)。 - 磁珠消耗能量,将高频噪声转化为热量。 根据以上信息,我们可以整理出回答的结构: 1. 功能差异:分别说明磁珠和电感的核心功能。 2. 频率响应特性:对比二者在不同频率下的表现。 3. 等效电路模型:用公式和等效电路图说明。 4. 关键参数:对比它们的主要参数和单位。 5. 典型应用场景:列举各自的应用场景。 注意:在回答中,我们需要避免使用第一人称,避免步骤词汇,将答案组织为多个部分,每个部分换行。如果涉及公式和代码,按照要求格式书写。 另外,在最后添加相关问题部分。 现在,我们开始生成答案。</think>### 磁珠(Bead)与电感(Inductor)的核心区别 #### 功能特性差异 磁珠本质是**高频损耗型器件**,基于铁氧体材料的电阻特性工作,核心功能是将高频噪声能量转化为热能消耗。阻抗公式为: $$Z = \sqrt{R^2 + (2\pi f L)^2}$$ 其中$R$(电阻分量)主导高频段阻抗,典型抑制频段在$10MHz$-$1GHz$。 电感是**能量存储器件**,通过线圈磁场储能/释能实现能量传递,感抗公式为: $$X_L = 2\pi f L$$ 低频段(通常$<10MHz$)保持线性感抗特性,用于功率转换和低频滤波。 #### 频率响应对比 | 频率范围 | 磁珠特性 | 电感特性 | |----------------|--------------------------|--------------------------| | $DC-1MHz$ | 低阻抗($<5\Omega$) | 稳定感抗 | | $10-100MHz$ | 阻抗峰值($50-600\Omega$)| 寄生电容导致谐振 | | $>500MHz$ | 阻抗衰减 | 完全失效 #### 等效电路模型 磁珠的简化模型: ```text R (损耗电阻) ────▓▓▓▓──── │ │ ────┴───▓ L ┬───┴─── │ C (寄生电容) │ ──── ``` 电感模型忽略显著电阻分量: ```text L (理想电感) ────▓▓▓▓▓─── │ C (寄生电容) │ ──── ``` #### 关键参数区别 | 参数 | 磁珠 | 电感 | |--------------|----------------------|-----------------------| | 核心指标 | 阻抗@特定频率(Ω) | 电感量(H) | | 直流电阻 | 较高(造成压降) | 极低(毫欧级) | | 饱和特性 | 无磁饱和 | 电流超限时饱和失效 | | 温度影响 | 阻抗随温度升高下降 | 感量变化<±10% | #### 典型应用场景 - **磁珠适用**: • 信号线EMI滤波(USB/HDMI接口) • 电源高频噪声抑制(开关电源输出端) • 数字电路时钟线滤波 - **电感适用**: • DC-DC转换器功率储能(Buck/Boost电路) • LC低通滤波器($f_c = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}$) • 谐振电路(与电容组成选频网络) #### 选型误用案例 - 磁珠用于功率路径:导致$I^2R$损耗发热,压降超标(如$100mA$电流过$1\Omega$磁珠产生$0.1V$压降) - 电感用于高频噪声抑制:寄生电容引发自谐振($f_{SRF} = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}$),高频段失去滤波能力 --- ### 设计验证方法 1. **频域扫描** 使用网络分析仪测量$S_{21}$参数: ```python # VNA扫描示例 (PyVISA库) import pyvisa rm = pyvisa.ResourceManager() vna = rm.open_resource('TCPIP0::192.168.1.10::INSTR') vna.write('CALC:PAR:DEF S21') vna.write('SENS:FREQ:START 1e6') # 1MHz起始 vna.write('SENS:FREQ:STOP 1e9') # 1GHz终止 data = vna.query_binary_values('CALC:DATA? SDATA', datatype='f') ``` 2. **时域噪声测试** 示波器捕获电源纹波,对比添加器件前后的$V_{pp}$值
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